SOZ膜结晶质量的研究

研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。

克服铝自掺杂工艺的新进展

克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。

高可靠SOS固态压力传感器

本文报导了高可靠SOS压力传感器研制的实验结果,特别是可靠性试验方法和应用效果。所得传感器的主要性能为:量程0～20MPa,工作温度-55°～300℃,精度0.2～0.5％,满度输出100±20mV,平均寿命(MTTF)≥1×10~6次。

氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.然而氧化钇稳定的氧化锆(Yt-tria-Stabilized cubic Zirconia简称 YSZ)上异质外延硅膜(Silicon on Ziroonia简称SOZ)的性能比SOS材料更好.这是因为,第一,立方结构YSZ与金钢石结构硅的晶格失配比SOS为小.第二,Zr,和Y元素不是电活性或弱电活性元素,故外延过程中的自掺杂效应比SOS为小,容易获得最佳硅单晶膜.更重要的是YSZ衬底的成本较低,为蓝宝石衬底成本的1/3到1/4.因而,SOZ材料是一个极有应用前途的新材料.

Heteroepitaxial Growth of Single-Crystalline Diamond Film

Using high temperature heteroepitaxial growth method the single-crystalline diamond film growth conditions have been studied by Raman spectrum and transmission electron diffraction.High temperature,low alcohol concentration,slow gas flow velocity,long epitaxial time and substrate located near the gas exit side on the susceptor are the favourable conditions for growing single-crystalline diamond film.