InSb/HfO2堆栈在原位退火过程中利用同步辐射光电子能谱对元素扩散的研究

InSb作为重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料已经应用在光电探测器、中红外激光器等领域,但InSb与氧化物的界面质量对制造高性能器件仍然至关重要。通过对InSb/HfO2堆栈在300和400℃下原位退火来系统地研究其热稳定性。为了研究InSb/HfO2堆栈衬底元素的扩散,利用原子层沉积技术沉积了大约5nm厚的HfO2薄膜,通过光子能量为750和600eV的同步辐射光电子能谱来进行表征时只能探测到堆栈界面以上部分的元素信息。研究发现对HCl预处理和天然氧化样品,In氧化物的扩散分别发生在300和400℃退火后,Sb氧化物的扩散现象只在原子层沉积之后的HCl预处理样品上被发现。本工作强调了为提高InSb器件性能而对界面进行有效钝化的紧迫性。

汉堡

爸爸妈妈和孩子紧密依偎的情景，就像面包夹着蔬菜的汉堡一样，这样新颖（ying）的联想和比喻多有意思呀!更妙的还在后面呢，把一家人坐在沙发上的场景比喻成被“嘴馋”的沙发“一口吃了下去”，幽默极了。