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用于低功耗A/D转换器的运算跨导放大器设计
被引量:
3
1
作者
曹一江
王振群
+1 位作者
陈建春
史良钰
《哈尔滨理工大学学报》
CAS
北大核心
2010年第2期83-87,共5页
设计了一种适用于采用级间共用运放技术的10bit流水线A/D转换器(ADC)的低功耗全差分运算跨导放大器(OTA).该放大器由一个改进的折叠共源共栅结构和一个套筒共源共栅结构共同组成,利用时钟控制,使ADC的采样保持和余量增益电路正常工作并...
设计了一种适用于采用级间共用运放技术的10bit流水线A/D转换器(ADC)的低功耗全差分运算跨导放大器(OTA).该放大器由一个改进的折叠共源共栅结构和一个套筒共源共栅结构共同组成,利用时钟控制,使ADC的采样保持和余量增益电路正常工作并满足其性能要求.基于0.6μmCMOS工艺对电路进行了设计,并利用HSpice软件对电路进行了仿真.仿真结果表明,该放大器在采样保持和奇数级电路中开环增益为60dB,偶数级电路开环增益为50dB,总功耗仅为4.5mW,满足低功耗ADC所要求的性能指标.
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关键词
运算跨导放大器
全差分
余量增益电路
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职称材料
SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析
2
作者
曹一江
史良钰
+2 位作者
王振群
陈建春
刘晓为
《电子器件》
CAS
2009年第2期364-367,共4页
测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能...
测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象,同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。
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关键词
功率晶体管
反向击穿曲线
半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)
双线击穿
扫描电镜
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职称材料
电容型传感器接口电路的研究
被引量:
1
3
作者
陈建春
曹一江
+1 位作者
王振群
史良钰
《信息技术》
2009年第2期119-122,共4页
设计了一种结构简单、新颖的电容型传感器接口电路。电路中放大器的第一级采用折叠式共源共栅结构,提供了较高的增益;第二级采用共源级结构,提高了输出摆幅;采用CMOS开关构成的开关电容电路提高了电路的精度。基于0.6μm CMOS工艺对电...
设计了一种结构简单、新颖的电容型传感器接口电路。电路中放大器的第一级采用折叠式共源共栅结构,提供了较高的增益;第二级采用共源级结构,提高了输出摆幅;采用CMOS开关构成的开关电容电路提高了电路的精度。基于0.6μm CMOS工艺对电路进行了设计,并对整体接口电路进行了仿真。仿真结果表明,与传统的接口电路相比,该电路具有高增益与高精度的特点,从而更好地实现了对微小电容的检测。
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关键词
开关电容
CMOS集成
运算放大器
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职称材料
题名
用于低功耗A/D转换器的运算跨导放大器设计
被引量:
3
1
作者
曹一江
王振群
陈建春
史良钰
机构
哈尔滨理工大学应用科学学院
出处
《哈尔滨理工大学学报》
CAS
北大核心
2010年第2期83-87,共5页
文摘
设计了一种适用于采用级间共用运放技术的10bit流水线A/D转换器(ADC)的低功耗全差分运算跨导放大器(OTA).该放大器由一个改进的折叠共源共栅结构和一个套筒共源共栅结构共同组成,利用时钟控制,使ADC的采样保持和余量增益电路正常工作并满足其性能要求.基于0.6μmCMOS工艺对电路进行了设计,并利用HSpice软件对电路进行了仿真.仿真结果表明,该放大器在采样保持和奇数级电路中开环增益为60dB,偶数级电路开环增益为50dB,总功耗仅为4.5mW,满足低功耗ADC所要求的性能指标.
关键词
运算跨导放大器
全差分
余量增益电路
Keywords
operational transconductance amplifier
full-differential
residue-gain-circuit
分类号
TN722 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析
2
作者
曹一江
史良钰
王振群
陈建春
刘晓为
机构
哈尔滨理工大学应用科学学院
哈尔滨工业大学航天学院
出处
《电子器件》
CAS
2009年第2期364-367,共4页
文摘
测试半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)层钝化的功率晶体管管芯反向击穿电压曲线时,出现异常击穿曲线——"双线击穿"曲线现象。通过对SIPOS钝化的功率晶体管管芯进行逐层腐蚀,再进行反向击穿曲线测试,以及扫描电镜对SIPOS层结构进行能谱分析,结果显示SIPOS层中氧含量过大,从而产生界面效应造成击穿电压回移,并解释了在应用特定测试仪器测试时显示出"双线击穿曲线"的现象,同时提出解决双线击穿曲线现象的方法。
关键词
功率晶体管
反向击穿曲线
半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)
双线击穿
扫描电镜
Keywords
power transistor
breakdown voltage curve
Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon (SIPOS) double-line breakdown
scanning: electron microscope(SEM)
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电容型传感器接口电路的研究
被引量:
1
3
作者
陈建春
曹一江
王振群
史良钰
机构
哈尔滨理工大学应用科学学院
出处
《信息技术》
2009年第2期119-122,共4页
文摘
设计了一种结构简单、新颖的电容型传感器接口电路。电路中放大器的第一级采用折叠式共源共栅结构,提供了较高的增益;第二级采用共源级结构,提高了输出摆幅;采用CMOS开关构成的开关电容电路提高了电路的精度。基于0.6μm CMOS工艺对电路进行了设计,并对整体接口电路进行了仿真。仿真结果表明,与传统的接口电路相比,该电路具有高增益与高精度的特点,从而更好地实现了对微小电容的检测。
关键词
开关电容
CMOS集成
运算放大器
Keywords
switched-capacitor
CMOS integrated
operational amplifier
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于低功耗A/D转换器的运算跨导放大器设计
曹一江
王振群
陈建春
史良钰
《哈尔滨理工大学学报》
CAS
北大核心
2010
3
下载PDF
职称材料
2
SIPOS钝化功率晶体管“双线击穿”曲线现象的分析
曹一江
史良钰
王振群
陈建春
刘晓为
《电子器件》
CAS
2009
0
下载PDF
职称材料
3
电容型传感器接口电路的研究
陈建春
曹一江
王振群
史良钰
《信息技术》
2009
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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