层状钙钛矿型Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜在LaNiO_3/Si上取向生长的TEM研究

用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向。透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为180nm和320nm。BNdT薄膜分为上下两层,厚约100nm的底层以薄片状c轴择优取向晶粒为主,在顶层许多柱状晶粒为a/b轴择优取向。讨论了BNdT薄膜在(110)LaNiO3电极上的择优取向生长机制。

钙钛矿型外延薄膜中两种分解失配位错的HRTEM研究

在(001)LaAlO3上生长钙钛矿型Ba0.3Sr0.7TiO3外延薄膜近界面层,用HRTEM观察到多种新型的分解失配位错,其中两种较复杂的分解失配位错已见报道。本文介绍在该薄膜中观察到的另外两种有趣的分解失配位错。这两种失配位错都分解成两个柏格斯矢量b=(1/2)〈110〉的不全位错,都与(1/2)〈110〉层错相伴。这些不全位错对薄膜应变松弛都有贡献,其发生与Ba0.3Sr0.7TiO3薄膜的岛状成核和莫扎克生长有关。

沿a/b轴择优取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的回线动力学标度

测量了在Pt／Ti／SiO2／Si上生长的36％a／b轴择优取向Bi4Ti3O12铁电薄膜的电滞回线，并研究了薄膜的回线动力学标度。外加电场频率的变化范围0．4～10kHz，电场幅值的变化范围653～1045kV·cm^-1。在外电场频率一定时，该Bi4Ti3O12薄膜的回线面积随外电场幅值的增大而增大。当外电场幅值固定时，回线面积随外电场频率的上升先增加后减小。当f=1kHz时，回线面积最大。由此可知，该Bi4Ti3O12薄膜中畴翻转的特征时间约1ms。在外电场频率低于1kHz时，回线面积〈A〉∝f^-0.02883E0；在1kHz以上高频段有标度关系〈A〉∝f^-0.05388E0。

无压烧结制备0.88PMN-0.12PT高度透明铁电陶瓷的显微结构研究

用传统的无压烧结工艺制备出稀土元素La掺杂的高度透明纯钙钛矿相0.88Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.12Pb Ti O3(简称0.88PMN-0.12PT)铁电陶瓷。当陶瓷样品厚度为0.8 mm时,在1550 nm处透光率达67%,接近其理论极限。电滞回线测量结果表明该组分透明陶瓷为典型的弛豫铁电体。显微结构观察结果表明陶瓷非常致密,晶粒排列规则,晶界结合强度高,多呈穿晶断裂,晶界干净,且厚度<2 nm。

助溶剂法生长Bi_4Ti_3O_(12)单晶的形貌和缺陷研究

采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm。BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面。在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种缺陷:包裹体和枝晶,对其形成的机制进行分析并提出了减少和消除缺陷的相应措施。用光学显微镜对BIT单晶的90°电畴结构进行了较好的观察和分析。

PMN-PT透明陶瓷中气孔和晶界对光散射的影响分析

根据Mie和Raleigh-Gans-Debye散射理论,用matlab编程模拟了0.65PMN-0.35PT透明陶瓷中气孔及晶界处双折射对光透过率的影响。结果表明,陶瓷中光的直线透过率和总透过率都随着气孔率的增大而迅速减小,而随着气孔半径的增大先减小后增大;光的直线透过率在气孔尺寸与入射光波长相近时取得最小值;随着晶粒尺寸的增大光的直线透过率单调递减,而总透过率几乎无变化。

在(001)Y-ZrO_2上沿a/b轴取向生长Bi_(3.15)Nd_(0.85)TiO_(12)铁电薄膜

用sol-gel工艺在（001）钇稳定ZrO2（YSZ）单晶衬底上制备了层状钙钛矿型Bi3.15Nd0.85Ti3O12（BNdT）铁电薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜沿a/b轴择优取向生长,择优取向度约48%;透射电镜观察到薄膜厚约385 nm,其中晶粒呈柱状生长,晶粒横向尺寸100-200 nm。分析发现,薄膜在结晶过程中快速升温有助于晶粒沿a/b轴取向生成核。

BiFeO_3薄膜的so-lgel制备及其铁电性能研究

采用sol-gel方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备出了(100)择优取向的BiFeO3薄膜.XRD研究表明,600～650℃退火的薄膜结晶较好.AFM形貌显示,650℃退火的薄膜中等轴状晶粒大小均匀(直径100～150nm),薄膜较为致密.电学性能测量结果表明,650℃退火、厚度为840nm的薄膜的2Pr值为2.8mC/cm2;在50kV/cm外加电场下,漏电流为2.7×10-5 A/cm2.电流-电压特性显示,在欧姆区之上,薄膜的主要导电机制为波尔-弗兰克尔发射导电.

Nd掺杂Bi_4Ti_3O_(12)铁电单晶的铁电性能、介电性能（英文）

采用助溶剂法使用Bi_2O_3作为助溶剂生长出Bi_4Ti_3O_(12)和Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶。研究了Nd取代对Bi_4Ti_3O_(12)单晶铁电和介电性能的影响。Bi_4Ti_3O_(12)单晶的剩余极化(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别约28μC/cm^2和71KV/cm,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶的2Pr和2Ec分别约20μC/cm^2/cm^2和41kV/cm。与Bi_4Ti_3O_(12)单晶相比,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶具有较低的漏电流约为10^(-8) A/cm^2。Bi_4Ti_3O_(12)单晶介电常数和介电损耗的值分别为73和0.04,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶的介电常数和介电损耗的值分别为105和0.018。结果表明,Bi_(3.5)Nd_(0.5)Ti_3O_(12)单晶的铁电和介电性能均随Nd含量的增加而降低。

实时磁性测试深入理解锂离子电池中的过渡金属催化作用

催化剂由于具有降低电化学过电位和改善动力学条件的能力,在各种储能器件中起着至关重要的作用.在锂离子电池中,首圈放电过程中形成的固体电解质界面膜,通常被认为是一旦形成就稳定不分解的.而在过渡金属的催化下,这种电解质分解衍生的聚合物凝胶状膜(PGF)能可逆地形成和分解.这种过渡金属催化机制可以进行催化储锂,即形成的PGF具有存储锂离子的能力,可提供额外的储锂容量,并且形成的PGF对枝晶的穿刺起到保护作用,提高锂离子电池的安全性.然而,由于锂离子电池中非常复杂的反应环境,常规测试手段很难对过渡金属的催化作用进行精准的表征.高精度测试技术的缺乏,限制了人们对催化机理的深入理解.过渡金属的磁性对价态和电子态密度高度敏感,所以在过渡金属催化过程中发生的电子转移会使其磁性发生相应的变化,这将催化与磁性紧密的联系在一起,使实时磁性测试成为研究过渡金属催化机理的有力工具.利用实时磁性测试可以精确地检测到催化过程中由电子转移产生的磁响应信号,从而对催化机理进行系统深入地研究.本文采用高精度的实时磁性测试技术对磁控溅射制备的氧化钴电极进行了测试,以得到关于锂离子电池中过渡金属催化的直接实验证据.磁控溅射制备的薄膜电极,没有导电添加剂和粘结剂的影响,尽可能地避免了其他因素对锂离子电池电化学反应过程的影响,更有利于对催化机理的深入研究.借助高精度的实时磁性测试,本文成功地检测到了在Co的催化作用下PGF的可逆形成和分解所引起的磁响应信号.此外,在不同的溅射气氛和溅射时间下,制备了一系列CoO/Co薄膜,系统研究了Co含量和薄膜厚度对催化性能的影响,得到了关于过渡族金属催化的更系统、更深入的认识.实时磁性测试结果表明,Co含量增加会使Co的催化作用增强,使催化过程中产生的磁响应信号变得更强.另外,电极厚度的降低可以提高催化储锂在电化学储锂中的占比,使得催化反应的磁响应信号变得更加明显.本文强调了实时磁性测试在催化领域研究中的重要性,加深了对过渡金属催化机理的认识,为设计基于催化储能的新型储能器件提供了关键的指导作用.

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福建省龙海市审计局十分关心干部职工的身心健康，经常开展丰富多彩的主体活动。今年6月9日，该局又组织全体审计人员与市直有关单位利用业余时间前往市郊紫云岩登山．以锻炼审计人最的体魄，磨炼审计人员的意志。

福建龙海：全面实行审计日记制度

为做好审计质量控制，提高审计工作水平，防范和化解审计风险，日前，福建省龙海市审计局下发了《关于贯彻执行审计暑审计机关审计项目质量控制办法(试行)》的通知，要求从2005年1月1日起全面实行审计日记制度，井将实行结果与每位审计人员的工作绩效考核挂钩。

原位磁性测试揭示锂/钠/钾离子的界面空间电荷存储

本文通过先进的实时原位磁性测试成功揭示了碱金属离子电池中的Li^(+)、Na^(+)、K^(+)的界面空间电荷存储机制.磁性测试结果表明,在FeSe_(2)等过渡族金属材料碱金属离子电池体系中,M^(+)(Li^(+)/Na^(+)/K^(+))和自旋极化电子可以分别存储在M2Se和Fe中,即界面空间电荷存储机制.这说明FeSe_(2)碱金属离子电池的储能机制不仅包含嵌入和转化反应,还包括界面空间电荷存储机制.此外,根据Fe/M2Se界面体系中空间电荷存储M^(+)的能力不同,磁学以及动力学测试结果进一步证明了碱金属离子半径是影响空间电荷存储的重要因素.该研究表明磁性测试是研究过渡族金属基材料的储能机制以及电化学过程中复杂界面效应的一种强有力的分析表征手段,为设计具有大存储容量和高功率密度的先进储能装置奠定了坚实的基础.