-
题名一款BiCMOS工艺的低附加相移衰减器
- 1
-
-
作者
张超
陈奇超
叶乔霞
高海军
-
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
-
出处
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2023年第4期14-20,共7页
-
文摘
采用0.18μm BiCMOS工艺,设计了一款工作频率为17~42 GHz的5位低附加相移、超宽带衰减器。小衰减单元采用简化的T型衰减结构,大衰减单元采用π型衰减结构,且每个衰减单元均采用电容和电阻并联的方式对附加相移进行补偿。测试结果表明,在17~42 GHz频带范围内,该衰减器的衰减动态范围为0~20 dB,衰减步进为0.5 dB,衰减误差均方根小于0.5 dB,附加相移为-1.25°~1.00°,芯片尺寸为220μm×95μm。
-
关键词
衰减器
低附加相移
相移补偿网络
-
Keywords
attenuator
low additive phase shift
phase shift compensation network
-
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-