根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coeffcient of Resist...根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coeffcient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论.展开更多
文摘根据薄膜理论和工艺实验,采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化,获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜,与块材接近,实现了锰铜压力传感器的薄膜化.同时对影响锰铜薄膜TCR(Temperature Coeffcient of Resistance)值的因素及机理进行了讨论.