非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究

本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。

增视器材的激光防护膜

介绍一种性能优良的１．０６μｍ和０．５３μｍ双波段防激光高反射膜的膜系设计．讨论其色度特性，探讨稳定工艺参数的制备要点．最后给出实验结果及稳定性和耐久性试验结果．

非晶态硒化镉薄膜瞬态光电特性

本文报道用真空热蒸发法淀积的非晶态硒化镉薄膜作光敏介质制备超快光电导探测器。用对撞脉冲锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲序列对探测器的响应时间进行检测,结果表明a-CdSe薄膜对皮秒(10^(-12)秒)级的超短光脉冲作用具有良好的瞬态响应光电特性,探讨a-CdSe薄膜快速弛豫过程的内在机理。

硒化镉薄膜结构形貌和光谱特性的测试与探索

本文介绍硒化镉(CdSe)薄膜结构形貌和光谱特性的测试研究结果,以及制备工艺条件对该薄膜的结构形貌和光谱特性可能产生的影响所进行的某些探索。

如何选择与探测器匹配的前置放大器

从噪声理论入手，给出热释电探测器－结型场效应管系统低频最佳匹配时，ＪＦＥＴ输入电阻的选择原则，介绍为获得系统最佳匹配而采用的仿真反馈技术．

a－CdSe超快光电探测器特性研究

本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用ａ－ＣｄＳｅ为光敏介质的超快光电探测器的特性进行了比较深入的测试研究。

硒化镉薄膜微区分析

本文用电子探针对硒化镉薄膜进行微区分析,对薄膜的成分和厚度进行同时测定,并分析了制备条件对薄膜参数的影响。

非晶态硒化镉薄膜时间分辨光致发光研究

用时间分辨激激光光谱学方法研究非晶态硒化镉薄膜光致发光,分析光生载流子的热释和复合机制.

非晶硒化镉超快光电探测器瞬态响应

报道淀积条件对以非晶态硒化镉（ａ－ＣｄＳｅ）为光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响．

超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导

本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。

10A通讯直流稳压电源

本文介绍了１０Ａ、１３．８Ｖ直流稳压电源的电路设计方案，并给出了实测的技术数据。

非晶态硒化镉超快激光探测器

本文报道用真空热蒸发法淀积非晶态硒化镉薄膜,结果表明 a-CdSe 光电导探测器对 PS 级的超短光脉冲具有良好的瞬态响应。

非晶硒化镉和辉光放电非晶硅对锁模激光的瞬态响应

用对撞锁模Nd:YAG激光器产生的超短光脉冲对非晶硒化镉和辉光放电非晶硅的瞬态响应进行研究,并用多重俘获传导模型分析光生载流子的弛豫过程.

非晶态硒化镉薄膜的时间分辨光电导和光致发光研究

硒化镉薄膜在光敏电阻、太阳能电池、薄膜晶体管和微波放大器等方面有着广泛的应用,受到人们的重视.非晶态硒化镉(α-CdSe)材料的无序网络结构只具有短程有序性.缺乏长程有序性,其能带结构不同于晶态硒化镉,所以α-CdSe薄膜具有独特的电学和光学性质,成为一种新型光电功能材料,在快速光电探测器和快速光电子开关等方面有广阔的应用前景.

非晶硒化镉快速光电探测器瞬态光电导的测试研究

报道了淀积条件对非晶态硒化镉（α－ＣｄＳｅ）薄膜微区结构的影响，并对利用α－ＣｄＳｅ薄膜为光敏介质的快速光电探测器的瞬态光电导进行了比较深入的测试研究。

非晶硒化镉激光探测器的瞬态响应特性

本文报道淀积条件对非晶态硒化镉（ａ－Ｃｄｓｅ）光敏介质的超快光电探测器瞬态响应特性的影响。

非晶态硒化镉瞬态光致发光特性

研究了非晶态硒化镉薄膜时间分辨光致发光强度随时间的衰减和发光峰值能量随时间的变化，用载流子成对模型分析了光生载流子的热释和辐射复合初始动力学过程．