CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索，对ＴＦＴ矩阵的关键材料──半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＺＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速率的变化，用三探针法和 Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对 ＴＦＴ样管的基本电性能进行了测试，得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，ＯＦＦ态电流小于１０－１０Ａ， ＯＮ态电流为１０－４Ａ。

掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究

利用蒸发和溅射工艺 ,研究了 Cd Se- TFT的制作 ,特别对掺 In的 Cd Se- TFT的电性能进行了研究。实验中观察到 Cd Se掺 In后 ,TFT的 I - V特性明显得到改善 ,得到了性能稳定的 TFT器件。利用半导体掺杂理论对此现象进行了解释。

Ta_2O_5/SiO_2复合介质TFEL显示

采用Ta_2O_5/SiO_2复合介质结构研究了ITO/复合介质/Al电容器和ZnS:Mn TFEL器件。用射频磁控溅射制备的复合介质膜,有效地解决了Ta_2O_5与ITO起反应以及Ta_2O_5薄膜的漫延性击穿问题。I—V、Q—V、B—V特性的测量结果以及加速老化实验表明,采用Ta_2O_5/SiO_2复合介质制作的TFEL器件,具有较高的稳定性和可靠性。