等离子体增强热丝化学气相沉积法生长取向金刚石薄膜

采用等离子体增强热丝化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长金刚石薄膜 ,扫描电子显微镜 (SEM )和X射线衍射 (XRD)分析结果表明金刚石晶体颗粒在〈111〉方向实现了取向生长。随H2 气氛中CH4 浓度的提高金刚石的形核率增加 ,但当CH4 在H2 中的体积分数≥ 0 .0 4时石墨竞相生长 ,无金刚石生成。等离子体增强形核技术能极大地提高金刚石的形核密度 ,在高密度等离子体的作用下 ,金刚石的形核密度可达 10 9个 /cm2 。