基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源

利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260～310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.

新一代SiC MOSFET脉冲MIG逆变焊接电源研制

采用SiC MOSFET和Si基肖特基二极管作为功率换流器件,研制了一台以ARM(advanced RISC machines)为主控芯片的400 A级脉冲MIG逆变焊接电源。针对SiC MOSFET功率器件特性以及逆变焊接电源的工作特点,设计了一种带保护机制的SiC MOSFET驱动器;主电路前级采用全桥逆变结构,后级整流电路采用全桥整流结构。结果表明,SiC MOSFET脉冲MIG逆变焊接电源输出电流波形稳定可控,动态响应性能好,焊接效果优良。

基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究

研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓扑结构得到简化,并提高了功率密度和可靠性。同时,利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性,与硅基IGBT相比省略了开关器件的反并联二极管。20 k VA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiC MOSFET相比硅基IGBT方案的优势。

基于栅格化的LTE无线网络覆盖预测仿真

随着未来几年LTE逐步演进到LTE-Advanced,载波聚合以及FDD/TDD融合组网的部署,将会出现大规模跨频段的LTE混合组网。而各个频段的覆盖能力的差异较大,所以需要LTE无线网络进行覆盖预测仿真,以评估LTE组网的覆盖性能。通过基础数据收集、地理数据栅格化、无线传播模型选择与校正、覆盖性能指标计算等多个步骤来完成LTE的覆盖性能的评估。

基于新型1200V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究

研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBTSN比省略了开关器件的反并联二极管。20kVA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiCMOSFET相比硅基IGBT方案的优势。