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IGBT技术发展综述
被引量:
30
1
作者
叶立剑
邹勉
杨小慧
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期937-940,951,共5页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,...
绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间。
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关键词
绝缘栅双极晶体管
专利
碳化硅
掺砷
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职称材料
题名
IGBT技术发展综述
被引量:
30
1
作者
叶立剑
邹勉
杨小慧
机构
南京电子器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期937-940,951,共5页
文摘
绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展。概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展。特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间。
关键词
绝缘栅双极晶体管
专利
碳化硅
掺砷
Keywords
IGBT
patent
SiC
As-doping
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IGBT技术发展综述
叶立剑
邹勉
杨小慧
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
30
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