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8~18GHz PIN管单刀双掷开关
1
作者
胡五一
叶锡廉
+1 位作者
葛德芳
沈柏林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期107-107,共1页
为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8~18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8~18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度、大功率容量和易于批量生产的微波开关元件。所用的PIN管...
为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8~18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8~18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度、大功率容量和易于批量生产的微波开关元件。所用的PIN管芯采用台式结构,二氧化硅钝化保护,Ti-Mo-Ti-Au多层金属作为欧姆接触,以降低正向微分电阻并保证可靠性。开关的同轴接头为SMA。
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关键词
PIN管
单刀双掷开关
开关
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职称材料
题名
8~18GHz PIN管单刀双掷开关
1
作者
胡五一
叶锡廉
葛德芳
沈柏林
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期107-107,共1页
文摘
为满足用户的要求,南京电子器件研究所已研制成功一种8~18GHz PIN管单刀双掷开关。电路采用全并联PIN管结构和MIC的方法在8~18GHz频带内获得较小的插损、高隔离度、高开关速度、大功率容量和易于批量生产的微波开关元件。所用的PIN管芯采用台式结构,二氧化硅钝化保护,Ti-Mo-Ti-Au多层金属作为欧姆接触,以降低正向微分电阻并保证可靠性。开关的同轴接头为SMA。
关键词
PIN管
单刀双掷开关
开关
分类号
TM564.3 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
8~18GHz PIN管单刀双掷开关
胡五一
叶锡廉
葛德芳
沈柏林
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1989
0
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