红外光纤与1～3μm HgCdTe红外探测器组合

以红外光纤和ＨｇＣｄＴｅ探测器组合构成带尾纤的新型组合件，组合件给光学系统的设计和结构以更多的随意性，并能有效地减小杂散光的干扰。

Hg_(1-x)Cd_xTe深缺陷能级研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.4)p^+n光伏二极管中的缺陷能级.通过改变注入脉冲条件,获得2个电子陷阱和2个空穴陷阱,电子陷阱的能级位置分别为E(0.06)和E(0.15),空穴陷阱的能级位置分别为H(0.075)和H(0.29).这些深能级的浓度约为浅能级浓度的百分之几.通过改变注入脉冲的宽度,测量了这些能级的多子俘获截面,根据这些深能级的特征参数,估算了器件的少子寿命和零偏压的动态电阻与面积的乘积,并讨论了一些缺陷能级的本质.

红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂

提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。

长波大面积HgCdTe光导红外探测器的研究

研制的长波大面积HgCdTe光导红外探测器的面积为2.1×2.1mm^2,在80K时探测率D_p~*=1.86×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1),响应率R_p=386VW^(-1),长波限λ_(co)(50%)>18μm.还研制了带有低温聚光器组合件结构的新型探测器,D_p~*=7.3×10^(10)cmHz^(1/2)W^(-1),λ_(co)(50%)>16μm.

n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式。