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高性能音叉结构MEMS陀螺的抗冲击设计 被引量:7
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作者 司朝伟 韩国威 +2 位作者 宁瑾 赵永梅 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第5期302-307,共6页
MEMS音叉陀螺存在很多振动模态,分析发现,其在驱动方向上受到冲击时的振动形式与工作在驱动模态的振动形式是不同的。通过改进悬挂梁的尺寸结构,提高了冲击振动模态谐振频率以增强陀螺的抗冲击性,同时保持驱动模态谐振频率不超过20 kHz... MEMS音叉陀螺存在很多振动模态,分析发现,其在驱动方向上受到冲击时的振动形式与工作在驱动模态的振动形式是不同的。通过改进悬挂梁的尺寸结构,提高了冲击振动模态谐振频率以增强陀螺的抗冲击性,同时保持驱动模态谐振频率不超过20 kHz,保证了陀螺的性能。采用SOG工艺制备了所设计的MEMS音叉陀螺,经过测试,该陀螺驱动模态的品质因数为5 734,检测模态的品质因数超过了430 000,具备实现高精度角速度检测的能力。在重锤上对制备的陀螺进行了抗冲击测试,测试表明该陀螺在驱动方向上的抗冲击性能达到了23 000 g,能够满足惯性导航对器件的苛刻要求。 展开更多
关键词 MEMS音叉陀螺 冲击模态 抗冲击性 高品质因数 惯性导航
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硅微机械陀螺仪温度补偿方法的研究现状 被引量:12
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作者 刘楠 苏言 +3 位作者 童鑫 韩国威 司朝伟 宁瑾 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第6期395-400,共6页
综述了硅微机械陀螺仪温度补偿方法的研究现状。介绍了陀螺仪的基本原理,并分析了陀螺仪的温度特性。分别对温度控制、器件设计和算法补偿三种温度补偿方法进行了原理和结果分析,总结了各种方法的优势与不足。介绍了算法补偿中两种常用... 综述了硅微机械陀螺仪温度补偿方法的研究现状。介绍了陀螺仪的基本原理,并分析了陀螺仪的温度特性。分别对温度控制、器件设计和算法补偿三种温度补偿方法进行了原理和结果分析,总结了各种方法的优势与不足。介绍了算法补偿中两种常用的温度误差模型构建方法,算法补偿既符合小体积、低成本的设计理念,又能有效提升陀螺仪的温度稳定性,但复杂的算法需要强大的内存支撑,系统的响应速度亦会受到影响,因此在算法的优化设计方面仍有巨大的研究潜力和空间。随着陀螺仪数字化进程的不断推进,温度误差模型构建的标准化方法以及优化的算法是未来进一步的发展方向。 展开更多
关键词 微机械系统(MEMS) 陀螺仪 零偏稳定性 温度补偿 软件算法补偿
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基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀 被引量:2
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作者 蔡萌 司朝伟 +2 位作者 韩国威 宁瑾 杨富华 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第11期905-910,共6页
提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化学气相沉积(PECVD)方式生长氧化硅掩膜高温对器件制备造成的影响。对不同的ITO薄膜图形化方式进行了研究,... 提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化学气相沉积(PECVD)方式生长氧化硅掩膜高温对器件制备造成的影响。对不同的ITO薄膜图形化方式进行了研究,结果表明垂直或正锥形台阶的光刻胶剥离工艺制备的ITO薄膜边缘光滑,尺寸误差小,是实现ITO薄膜图形化的理想方式。进一步研究了基于ITO掩膜的键合片深硅刻蚀能力,在硅刻蚀深度达到150μm时,掩膜只消耗了5.66 nm,刻蚀选择比高达26500∶1,没有发现微掩膜效应。因此利用ITO掩膜实现键合片的深硅刻蚀,掩膜的生长和图形化都在常温下进行,特别适合基于硅玻璃(SOG)键合刻蚀工艺的MEMS器件制备。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 键合片 深硅刻蚀 氧化铟锡(ITO)掩膜 图形化 刻蚀选择比
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基于谐振原理的RF MEMS滤波器的研制 被引量:3
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作者 康中波 韩国威 +3 位作者 司朝伟 钟卫威 赵永梅 宁瑾 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第7期467-470,共4页
采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接... 采用与IC工艺兼容的硅表面MEMS加工技术,以碳化硅材料作为结构材料,研制出一种新型的基于谐振原理工作的RF MEMS滤波器。详细介绍了器件的工作原理、制备方法、测试技术和结果,并对测试结果做出分析。该RF MEMS滤波器由弹性耦合梁连接两个结构尺寸和谐振频率完全相同的MEMS双端固支梁谐振器构成,MEMS谐振器的结构决定了滤波器的中心频率,弹性耦合梁的刚度决定了滤波器的带宽。在大气环境下测试器件的频响特性,得到中心工作频率为41.5MHz,带宽为3.5MHz,品质因数Q为11.8。 展开更多
关键词 射频微机电系统(RFMEMS) 滤波器 谐振原理 碳化硅 亚微米间隙
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氮化铝面内伸缩模态谐振器的研究现状 被引量:2
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作者 杨健 韩国威 +2 位作者 司朝伟 赵永梅 宁瑾 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2014年第6期374-380,393,共8页
综述了氮化铝面内伸缩模态的射频MEMS谐振器。氮化铝面内伸缩模态谐振器(contour-mode resonator,CMR)利用了氮化铝薄膜的压电效应,由器件的机械谐振再通过机电转化实现谐振功能,基本结构为电极层-氮化铝层-电极层。当前研究的两种典型... 综述了氮化铝面内伸缩模态的射频MEMS谐振器。氮化铝面内伸缩模态谐振器(contour-mode resonator,CMR)利用了氮化铝薄膜的压电效应,由器件的机械谐振再通过机电转化实现谐振功能,基本结构为电极层-氮化铝层-电极层。当前研究的两种典型的器件结构为方形振子梳齿电极结构和圆盘振子电容式结构。概述了氮化铝CMR的制备工艺,并重点介绍了磁控溅射法生长薄膜和ICP刻蚀等主要工艺环节。分别对氮化铝CMR的谐振频率、品质因子、温度稳定性和动态电阻等主要性能参数进行了理论分析,针对谐振器各参数的提升给出了具体的改进方向,同时讨论了某些性能的提升所带来的负面影响。氮化铝CMR具备面内集成的优点,随着器件频率的提高,将在无线通信领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 射频微机电系统(RF-MEMS) 氮化铝(AlN) 面内伸缩模态谐振器 谐振频率 品质因子 温度稳定性 动态电阻
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高深宽比倾斜沟槽的深硅刻蚀技术
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作者 刘庆 刘雯 +3 位作者 司朝伟 黄亚军 杨富华 王晓东 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第3期454-460,共7页
针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制... 针对微电子机械系统(MEMS)行业对3D加工日益增长的需求,提出了一种结合法拉第笼和倾斜衬底支架,利用改进的BOSCH工艺进行任意角度深硅刻蚀的创新工艺方案。首先通过仿真计算对法拉第笼的特征尺寸进行了优化,进一步采用法拉第笼和用于制备倾角的衬底支架,对BOSCH工艺参数进行了调整,最终获得了倾角为30°、深度超过25μm、深宽比高达7.9∶1的倾斜沟槽。结果表明利用法拉第笼和倾斜衬底支架,采用深硅刻蚀工艺可以制备高深宽比的倾斜沟槽,而且沟槽角度可以通过加工不同倾角的支架实现。结合法拉第笼和倾斜衬底支架进行等离子体刻蚀可为其他倾斜结构的制备工艺提供参考。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) BOSCH工艺 高深宽比 倾斜刻蚀 法拉第笼
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量子定位导航技术研究与发展现状 被引量:16
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作者 宋培帅 马静 +6 位作者 马哲 张淑媛 司朝伟 韩国威 宁瑾 杨富华 王晓东 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第9期23-37,共15页
最近二十年,作为一种新型导航技术,量子定位系统(QPS)因其特有的信息传输优势得到了飞速发展。简要介绍了卫星导航与惯性导航系统的原理及各自面临的问题,阐述了量子定位导航系统的概念与基本原理、量子导航的优势、量子导航的分类及国... 最近二十年,作为一种新型导航技术,量子定位系统(QPS)因其特有的信息传输优势得到了飞速发展。简要介绍了卫星导航与惯性导航系统的原理及各自面临的问题,阐述了量子定位导航系统的概念与基本原理、量子导航的优势、量子导航的分类及国内外发展状况,并就目前量子导航所面临的问题及其发展前景提出了相应的观点。 展开更多
关键词 量子光学 量子定位系统 卫星导航 量子通信 量子信息和处理
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A review: aluminum nitride MEMS contour-mode resonator 被引量:1
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作者 侯云虹 张萌 +3 位作者 韩国威 司朝伟 赵咏梅 宁瑾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第10期1-9,共9页
Over the past several decades, the technology of micro-electromechanical system(MEMS) has advanced. A clear need of miniaturization and integration of electronics components has had new solutions for the next genera... Over the past several decades, the technology of micro-electromechanical system(MEMS) has advanced. A clear need of miniaturization and integration of electronics components has had new solutions for the next generation of wireless communications. The aluminum nitride(AlN) MEMS contour-mode resonator(CMR)has emerged and become promising and competitive due to the advantages of the small size, high quality factor and frequency, low resistance, compatibility with integrated circuit(IC) technology, and the ability of integrating multi-frequency devices on a single chip. In this article, a comprehensive review of AlN MEMS CMR technology will be presented, including its basic working principle, main structures, fabrication processes, and methods of performance optimization. Among these, the deposition and etching process of the AlN film will be specially emphasized and recent advances in various performance optimization methods of the CMR will be given through specific examples which are mainly focused on temperature compensation and reducing anchor losses. This review will conclude with an assessment of the challenges and future trends of the CMR. 展开更多
关键词 MEMS contour-mode resonator AlN magnetron sputtering inductively coupled plasma(ICP) etching the temperature stability quality factor(Q)
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Feed-through cancellation of a MEMS filter using the difference method and analysis of the induced notch
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作者 韩国威 司朝伟 +4 位作者 宁瑾 钟卫威 孙国胜 赵永梅 杨富华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第4期94-99,共6页
This paper presents and analyzes a notch observed in MEMS (micro electric mechanical system) filter characterization using the difference method. The difference method takes advantage of the cancellation of parasiti... This paper presents and analyzes a notch observed in MEMS (micro electric mechanical system) filter characterization using the difference method. The difference method takes advantage of the cancellation of parasitic feed-through, which could potentially obscure the relatively small motional signal and lead to failure in character- ization of the MEMS components. In this paper, typical clamped-clamped beam MEMS filters are fabricated and characterized with the difference method. Using the difference method a better performance is obtained but a notch is induced as a potential problem. Analysis is performed and reveals the mismatch of the two differential excitation signals in measurement circuit contributes to the notch. The relevant circuit design rule is also proposed to avoid the notch in the difference method. 展开更多
关键词 MEMS filter feed-through cancellation difference method NOTCH
原文传递
Fabrication and characterization of an SOI MEMS gyroscope
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作者 钟卫威 韩国威 +2 位作者 司朝伟 宁谨 杨富华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第6期58-62,共5页
This paper presents an SOI(silicon on insulator) MEMS(micro-electro-mechanical systems) vibratory gyroscope that was fabricated using bulk micromachining processes.In the gyroscope architecture,a frame structure t... This paper presents an SOI(silicon on insulator) MEMS(micro-electro-mechanical systems) vibratory gyroscope that was fabricated using bulk micromachining processes.In the gyroscope architecture,a frame structure that nests the proof mass is used to decouple the drive motion and sense motion.This approach ensures that the drive motion is well aligned with the designed drive axis,and minimizes the actual drive motion component along the sense detection axis.The thickness of the structural layer of the device is 100μm,which induces a high elastic stiffness in the thickness direction,so it can suppress the high-order out-of-plane resonant modes to reduce deviation.In addition,the dynamics of the gyroscope indicate that higher driving mass brings about higher sensing displacements.The thick structural layer can improve the output of the device by offering a sufficient mass weight and large sensing capacitance.The preliminary test results of the vacuum packaged device under atmospheric pressure will be provided.The scale factor is 1.316×10^-4 V/(deg/s),the scale factor nonlinearity and asymmetry are 1.87%and 0.36%,the zero-rate offset is 7.74×10^4 V,and the zero-rate stability is 404 deg/h,respectively. 展开更多
关键词 SOI MEMS vibratory gyroscope bulk micromachining processes decoupled gyroscope ICP
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