利用SiO_2的表面化学修饰提高纳米SnO_2的热稳定性

以3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-APTES)为表面修饰剂,利用乙氧基与SnO2表面羟基之间的化学反应,将SiO2化学接枝于SnO2表面,以阻止SnO2晶粒热生长。采用SEM、TEM、FT-IR、XRD和EDS等技术对改性后纳米SnO2进行结构表征。结果表明,SiO2通过Sn—O—Si化学键与SnO2相连接,SiO2被高度分散于SnO2表面。经1000℃高温煅烧后,SnO2平均粒径改性前后分别为95和10nm。SiO2作为第二相,阻碍了晶界的移动,增加了晶粒生长活化能,从而有效地限制了晶粒高温生长,提高了纳米SnO2的热稳定性。

纳米SnO_2/SiO_2复合材料的制备及其对H_2气敏性研究

采用锡粒氧化法合成纳米二氧化锡(SnO2),并以KH-550为改性剂,对纳米二氧化锡进行表面化学修饰,制得SnO2/SiO2复合材料,研究了不同条件下制得的SnO2/SiO2复合材料对H2的气敏性能。实验结果表明较佳的SnO2/SiO2复合材料制备工艺条件为:室温条件下,改性剂与纳米二氧化锡质量百分比为9%,在甲苯溶剂中反应3h。制备的SnO2/SiO2复合材料对1000ppm H2的气体灵敏度为37.506。