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氧化硅/氧化铁复合磨粒用于硬盘基片的抛光研究 被引量:3
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作者 雷红 司马能 +3 位作者 屠锡富 布乃敬 严琼林 吴鑫 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期268-272,共5页
本文以HNO3、NaOH、Fe(NO3)3和SiO2浆料为原料,采用沉淀法制备了1种SiO2/Fe2O3复合磨粒,通过X射线衍射仪(XRD)、飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行表征,结果表明Fe2O3包覆到SiO2的表面,复合粒子具有... 本文以HNO3、NaOH、Fe(NO3)3和SiO2浆料为原料,采用沉淀法制备了1种SiO2/Fe2O3复合磨粒,通过X射线衍射仪(XRD)、飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)和扫描电子显微镜(SEM)对其结构进行表征,结果表明Fe2O3包覆到SiO2的表面,复合粒子具有很好的分散性.用UNIPOL-1502抛光机研究了所制备复合磨粒在镍磷敷镀的硬盘基片中的抛光性能,抛光后硬盘基片的表面粗糙度Ra由抛光前的8.87nm降至3.73nm;抛光后表面形貌的显微镜观测结果表明新制备的复合磨粒表现出较好的抛光性能. 展开更多
关键词 化学机械抛光 SiO2/Fe2O3复合磨粒 硬盘基片
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计算机硬盘基片的化学机械清洗技术研究 被引量:1
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作者 雷红 司马能 +3 位作者 袁国兴 屠锡富 布乃敬 藏松涛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期757-760,共4页
目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低。采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系列的表面微观分析,研究了盘片CMP后清洗过... 目前,CMP技术对计算机硬盘基片(盘片)进行抛光,盘片表面粗糙度达到原子级平整,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP最终技术水平的高低。采用静态浸泡实验以及浸泡、擦洗、超声清洗实验,结合一系列的表面微观分析,研究了盘片CMP后清洗过程中的化学作用、机械作用以及清洗剂、清洗方式等物理化学要素对CMP后清洗效果的影响。结果表明,CMP后清洗是一种机械作用、化学作用等综合作用的过程。采用优化的清洗工艺及清洗剂,得到了低腐蚀、高洁净、平整的硬盘基片表面。 展开更多
关键词 化学机械抛光 化学机械清洗 硬盘基片 原子级平整 腐蚀
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横向场发射三极管
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作者 司马能 《真空电子技术》 北大核心 1995年第6期52-54,共3页
利用薄膜边缘场发射阴极设计的三极管,阴极、栅极和阳极是平面结构,因此极间电容小,适合应用于高速和高频电路。它在工艺上与半导体器件兼容,工艺比较简单,是未来真空微电子集成电路中的有源器件,它有着广泛的应用前景。
关键词 横向场 场发射 三极管 真空微电子
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