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GaN组合开关电路及其驱动技术研究 被引量:6
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作者 王树奇 吉才 刘树林 《西安科技大学学报》 CAS 北大核心 2016年第6期882-887,共6页
基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的... 基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率场效应晶体管 耗尽型 驱动电路 开关变换器
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孩子成功最需要的三种成长环境
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作者 吉才 《成才之路》 2009年第3期I0006-I0006,共1页
成功的早期教育一定要给孩子丰富多彩的生活环境和条件。这是孩子快乐进取的物质基础。
关键词 成长环境 孩子 生活环境 早期教育 物质基础
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Numerical simulation of TiC cermet/iron joint brazed with Ag-Cu-Zn filler metal
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作者 张丽霞 张池平 吉才 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2005年第S2期30-34,共5页
Stress concentration zones and the maximum value of thermal stress of TiC cermet/iron joint brazed with Ag-Cu-Zn filler metal during cooling were studied. The results show that when the temperature is 300K, the maxi... Stress concentration zones and the maximum value of thermal stress of TiC cermet/iron joint brazed with Ag-Cu-Zn filler metal during cooling were studied. The results show that when the temperature is 300K, the maximum values of shear stress and tensile stress on TiC cermet/iron interface both appear on the tip of Ag-Cu-Zn/iron interface, which makes Ag-Cu-Zn/iron interface become weak zone of the interface. Tensile stress on iron undersurface relaxes to the inner of iron, and the compression stress on iron undersurface concentrates on the side of iron as the temperature decreases, so cracks appear easily at the site where tensile and compression stress cross. 展开更多
关键词 numerical simulation TIC CERMET IRON BRAZING TAPPET
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“大手笔”与“小算盘”
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作者 忠良 吉才 《上海财税》 1998年第2期48-48,共1页
关键词 “大手笔” 小算盘 高档商住楼 税务检查 租金收入 居住环境 建设工程 房地产 房产市场 绿化地带
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