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二氧化锗掺杂光纤中折射率分布对布里渊增益谱的影响 被引量:3
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作者 吉正源 路元刚 +3 位作者 潘宇航 彭楗钦 张泽霖 《Transactions of Nanjing University of Aeronautics and Astronautics》 EI CSCD 2021年第5期769-787,共19页
二氧化锗通常用作掺杂剂来调控光纤中的折射率分布(Refractive index profile,RIP)和声速分布(Acoustic velocity profile,AVP),从而在光纤中形成不同的布里渊增益谱(Brillouin gain spectrum,BGS)特性,如布里渊增益、声模式数和峰强度... 二氧化锗通常用作掺杂剂来调控光纤中的折射率分布(Refractive index profile,RIP)和声速分布(Acoustic velocity profile,AVP),从而在光纤中形成不同的布里渊增益谱(Brillouin gain spectrum,BGS)特性,如布里渊增益、声模式数和峰强度差。当光纤用于光纤传感或光纤通信系统时,其BGS特性可能在确定系统性能方面起重要作用。本文通过有限元分析法(Finite element analysis,FEA)研究阶跃折射率光纤、渐变光纤以及复杂折射率分布光纤中RIP及相应的AVP对布里渊增益谱的影响。提出了一种新的方法,可以有效分辨出声模式解,同时改变光纤折射率分布与几何尺寸,获得光纤总布里渊增益和声模式数同折射率分布关系的新的完整图像。对于每一类光纤,提供了用于光纤传感与光纤通信的建议参数。探索并找到了具有相近布里渊峰强度的多峰布里渊增益谱的光纤,该光纤能够用于布里渊拍频谱检测并提高传感精度。 展开更多
关键词 布里渊增益谱 光纤 声学模式 折射率 有限元分析
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各向异性异质材料中的Goos-Hnchen位移研究
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作者 黄艳艳 于忠卫 +1 位作者 吉正源 钱盈家 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期708-714,共7页
对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟... 对单轴各向异性材料中的负折射进行了讨论,并对具有负折射率的准左手介质(NI-QLHM)表面的古斯-汉森位移进行了详细的理论研究,给出了横电(TE)波和横磁(TM)波入射时的古斯-汉森位移d和穿透深度dz的表达式.对TE入射波的情况进行了数值模拟,结果显示,在μz<0的情况下,频率ω分布在4~6GHz之间时,各向异性材料为NI-QLHM.而磁导率分量|μz|越小,在NI-QLHM频率区域越容易实现全反射;随着频率的增加,临界角减小,从而发生全反射的入射角的范围增加,同时也将导致准左手化材料的有效折射率减小.结果还显示,对于同一个入射角,随着频率ω的增加,古斯-汉森位移减小,即随着折射率n的减小,古斯-汉森位移减小.而穿透深度dz与古斯-汉森位移d相对应,穿透深度越大,古斯-汉森位移也越大. 展开更多
关键词 负折射率 准左手化材料 古斯-汉森位移 各向异性
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