硒化温度对MoSe_(2)薄膜结构和光学带隙的影响

使用射频磁控溅射技术制备了钼(Mo)膜,再利用硒化退火方式生成二硒化钼(MoSe_(2))薄膜.对MoSe_(2)薄膜的表面形貌、晶体结构和光学带隙进行了表征和分析.结果显示,MoSe_(2)薄膜的晶体结构与硒化温度(T_(s))密切相关,随着硒化温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸先略减小后增大,且(002)晶面取向优先生长.MoSe_(2)薄膜对短波长光(600 nm左右)具有较低的吸收率.随着硒化温度升高,MoSe_(2)的直接带隙波发生蓝移,光学带隙随之减小.研究表明,通过改变硒化温度可以有效调控MoSe_(2)结构和光学带隙,为MoSe_(2)薄膜在光学器件应用方面提供更多可能.