2CV_3混频晶体大量反向击穿的原因

对某型导弹引信混频晶体2CV_3反向电流测试原理的分析表明,大量2CV_3晶体反向击穿是由外来干扰信号所造成的,而外来干扰信号之所以能影响混频晶体,是由于4B-J引信测试台的三根测试电缆中所有屏蔽线的屏蔽网套没有与其相应插头(座)的1号接点(即机壳)相连接,造成测试时屏蔽网套不接地,屏蔽不起作用,各导线之间电信号相互干扰严重.外来干扰信号具有随机性,因而比较复杂.但是,只要引信测试台及其测试电缆中所有屏蔽线的屏蔽网套接地可靠,就可以避免2CV_3混频晶体大量反向击穿.最后,还提出了三项具体预防措施.

某引信混频晶体整流电流变化原因分析

通过对某型号引信混频晶体整流电流测试原理的分析,指出整流电流变化的原因是天线高频接头重新连接所引起的,这一点已得到试验的证实.引用了多年来6个引信振动试验前数次实际测试的数据来分析这个问题,并提出了以后解决这个问题的方法.