离子束刻蚀过程中的二次作用——溅出靶原子的重新淀积

离子束刻蚀是近年来发展起来的微细加工工艺。由于它的超精细加工能力等特点,已在微电子技术、光子技术,表面科学、应用声学、材料科学和真空技术等领域中得到广泛的应用。本文采用的束流密度为0.5(mA·cm^(-2)),能量分别为600eV 和1100eV 垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅片(111)面上宽度分别为200、80,30、10、8(μm)的沟槽进行刻蚀,用扫描电子显微镜拍摄记录不同时刻的沟槽台阶形貌。考虑到溅出的靶原子在空间的各种不同分布,建立了重新淀积理论,并对实验结果作了完满的解释。

一种新超导材料(Y-Ba-Cu-O)的x射线衍射分析

报道用x射线衍射方法测试超导材料(Y-Ba-Cu-O)结构的实验结果,结果表明,Y-Ba-Cu-O是斜方晶系,晶格常数为a_1=3.886×10^(-8)cm,a_2=3.818×10^(-8)cm,a_3=11.704×10^(-8)cm。