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CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨 被引量:5
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作者 徐骏华 向宏莉 令文生 《现代电子技术》 2004年第9期70-73,共4页
随着超大规模集成电路工艺的高速发展 ,特征尺寸越来越小 ,而静电放电 ( Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此 ,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。介绍了 ESD的 4种等效模型 :人体、... 随着超大规模集成电路工艺的高速发展 ,特征尺寸越来越小 ,而静电放电 ( Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此 ,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。介绍了 ESD的 4种等效模型 :人体、机器、器件充电和场感应模型 ,以及各模型的特点和等效测试电路。同时较详细的介绍了 ESD的测试方式和方法。 展开更多
关键词 静电放电 ESD模型 电流 CMOS
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