与CMOS热兼容的CRAM存储元结构研究

从硫属相变存储器CRAM(Chalcogenide-based phase-change RAM)的存储原理出发,建立存储元一维多层热传导结构模型。根据存储元的读写功能需求及其与CMOS驱动电路实现热兼容的条件,确定3个临界参数:相变材料熔化温度Tm、相变的临界区域Xc、CMOS驱动电路能承受的临界温度Tc。合理设定边界条件,利用差分法编程求解多层热传导方程得出温度分布曲线图。在临界参数的限制下,通过选择调整存储元的电极、隔热层、相变层的材料尺寸,并使用加热层对相变层进行加热,设计出的CRAM存储元结构模型不仅满足了CRAM存储元的存储读写要求,而且首次实现了CRAM存储元与CMOS电路的热兼容。

玻璃钢管长期性能测试中的计时装置

利用单片机AT89C51的定时计时功能以及合理运用外部中断设计计时,并用SN74HC164N移位寄存器驱动数码管显示,最后设计电路原理图制作电路板,得到可应用于玻璃钢管长期性能测试中的自动计时装置,解决玻璃钢管长期性能测试中长期时间数据采集的难题。

含双层GST的低功耗CRAM存储元结构设计

基于热场分析,在CRAM存储元传统结构的加热层和底电极之间插入一层存储介质GST,设计出含双层GST的CRAM存储元结构。在模拟存储元热场分布过程中引入热辐射边界条件,使模拟结果更接近实际。根据设计要求,将双层GST新型结构与传统结构的热场进行比较,结果表明,含双层GST的新型结构一方面实现了存储元与CMOS晶体管的热兼容,增强了器件的稳定性;另一方面,将reset电流减小到0.5 mA,降低了器件功耗。