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Sol-Gel法制备SnO_2纳米晶薄膜 被引量:8
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作者 向思清 索辉 +4 位作者 阮圣平 朱玉梅 刘冰冰 全宝富 徐宝琨 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B05期72-73,共2页
以Sn(OH) 4 水合胶体为原料 ,采用简单的旋转涂覆与烧结工艺在Si片上成功制备出了表面形貌平整、光亮的SnO2 纳米晶薄膜 ,为该种材料制作实用的气敏元件打下了很好的基础。
关键词 SOL-GEL法 纳米晶薄膜 SNO2 制备
全文增补中
SnO_2 纳米晶的溶胶-凝胶法制备及气敏性质 被引量:9
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作者 索辉 向思清 +4 位作者 朱玉梅 阮圣平 张彤 王立军 徐宝琨 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 2000年第3期49-52,共4页
采用溶胶 -凝胶法制备出 Sn O2 纳米晶材料 .经 X光衍射和透射电镜研究表明 ,该材料具有金红石结构 ,晶粒为球形 ,粒径约 4nm.气敏特性研究表明 。
关键词 二氧化锡 纳米晶 溶胶-凝胶法 气敏性质 制备
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新型固体电解质CO_(2)感器及其特性 被引量:3
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作者 邱法斌 全宝富 +2 位作者 程刚 向思清 孙良彦 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第12期1-3,共3页
介绍了一种以固体电解质NASICON为导电介质,以BaCO3-Li2CO3复合碳酸盐为电极材料的新型CO2传感器的结构与性能。在10-4~10-2CO2体积比浓度范围内,器件的输出电动势(EMF)与Nrnst方程符合... 介绍了一种以固体电解质NASICON为导电介质,以BaCO3-Li2CO3复合碳酸盐为电极材料的新型CO2传感器的结构与性能。在10-4~10-2CO2体积比浓度范围内,器件的输出电动势(EMF)与Nrnst方程符合得很好,并呈现出迅速的响应恢复性能。由于复合碳酸盐辅助电极的使用,器件的耐水性有了很大提高,而在封装中采用活性炭过滤层结构可使器件的选择性得到改善。 展开更多
关键词 NASICON CO_(2)传感器 耐水性 选择性
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纳米晶SnO_2气敏薄膜的制备与表征 被引量:3
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作者 索辉 向思清 +5 位作者 朱玉梅 阮圣平 张彤 刘冰冰 徐宝琨 王立军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期774-777,共4页
以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石... 以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 . 展开更多
关键词 纳米晶 二氧化锡 气敏薄膜
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钡铁氧体纳米复合材料的制备及其微波吸收性能的研究 被引量:2
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作者 阮圣平 索辉 +4 位作者 张景超 向思清 王兢 刘国范 徐宝琨 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期566-568,共3页
采用聚乙二醇凝胶法制备了M-型钡铁氧体复合氧化物纳米材料,并将其与传统的微波吸收剂铁粉结合起来,制成双层复合的吸波涂层,进行测试,得到性能良好的微波吸收材料.在总结实验事实的基础上,对纳米复合材料的吸波机理进行了探讨.
关键词 微波吸收 复合材料 钡铁氧体 纳米材料
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NASICON固体电解质材料的溶胶-凝胶合成与CO_2敏感器件研究 被引量:2
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作者 邱法斌 全宝富 +2 位作者 向思清 程刚 孙良彦 《郑州轻工业学院学报》 CAS 2000年第4期11-13,共3页
以常规试剂为原料,采用溶胶-凝胶法合成了NASICON固体电解质材料,并以该合成材料为基础,制备了小型固体电解质型CO2传感器.测试表明,所制备的器件对CO2气体表现出良好的线性敏感特性、快速的响应恢复和较强的抗干扰能力.
关键词 二氧化碳 传感器 气敏器件 溶胶凝胶 固体电解
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SnO_(2)纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制
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作者 索辉 向思清 +3 位作者 阮圣平 张彤 徐宝琨 王立军 《微细加工技术》 EI 2000年第2期75-78,共4页
利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ... 利用溶胶 凝胶法合成出纳米晶SnO2 薄膜 ,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀 ,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件 ,实现了制备纳米晶材料的溶胶 -凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明 ,纳米晶SnO2 薄膜栅FET式气敏元件可以在常温下工作 ,元件的漏电流在乙醇气体中减小 ,掺杂镧以后 。 展开更多
关键词 纳米晶薄膜 场效应晶体管 气敏元件
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