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外延工艺在集成电路制造产业中的应用
被引量:
2
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作者
向玉双
《集成电路应用》
2006年第7期49-50,共2页
外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层(Si/Si),也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等);同样实现外延生长也有很多方法,包括分子束外延(MBE),...
外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层(Si/Si),也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等);同样实现外延生长也有很多方法,包括分子束外延(MBE),超高真空化学气相沉积(UHV/CVD),常压及减压外延(ATM&RP Epi)等等。
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关键词
外延工艺
制造产业
集成电路
超高真空化学气相沉积
SIGE/SI
应用
单晶材料
外延生长
分子束外延
外延层
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职称材料
合金FeTi_(1.2)+xwt%LaNi_5(x=0,1,2,3,4)储氢性能的研究
2
作者
向玉双
杜立新
+3 位作者
叶辉
黄铁生
徐乃欣
邬君飞
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第2期175-178,共4页
采用合金化的方法向富钛储氢合金FeTi1.2中添加少量LaNi5以形成四元系合金FeTi1.2+xwt%LaNi5来改善FeTi1.2合金的储氢性能。虽然XRD没有检出合金中有LaNi5相的存在,但是FeTi1.2合金的储氢性能特别是活化性能得到了改善,FeTi1.2+xwt%LaNi...
采用合金化的方法向富钛储氢合金FeTi1.2中添加少量LaNi5以形成四元系合金FeTi1.2+xwt%LaNi5来改善FeTi1.2合金的储氢性能。虽然XRD没有检出合金中有LaNi5相的存在,但是FeTi1.2合金的储氢性能特别是活化性能得到了改善,FeTi1.2+xwt%LaNi5合金还具有较高的储氢量,293K吸氢的FeTi1.2+2wt%LaNi5合金在333K时的放氢量为186.4ml/g,明显超过FeTi1.2合金的172.3ml/g。
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关键词
FeTi1.2合金
储氢性能
活化
贮氢合金
原文传递
题名
外延工艺在集成电路制造产业中的应用
被引量:
2
1
作者
向玉双
机构
应用材料中国公司
出处
《集成电路应用》
2006年第7期49-50,共2页
文摘
外延(Epitaxy,简称Epi)工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料,外延层可以是同质外延层(Si/Si),也可以是异质外延层(SiGe/Si或SiC/Si等);同样实现外延生长也有很多方法,包括分子束外延(MBE),超高真空化学气相沉积(UHV/CVD),常压及减压外延(ATM&RP Epi)等等。
关键词
外延工艺
制造产业
集成电路
超高真空化学气相沉积
SIGE/SI
应用
单晶材料
外延生长
分子束外延
外延层
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
合金FeTi_(1.2)+xwt%LaNi_5(x=0,1,2,3,4)储氢性能的研究
2
作者
向玉双
杜立新
叶辉
黄铁生
徐乃欣
邬君飞
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
宝钢仪器分析测试中心
出处
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002年第2期175-178,共4页
文摘
采用合金化的方法向富钛储氢合金FeTi1.2中添加少量LaNi5以形成四元系合金FeTi1.2+xwt%LaNi5来改善FeTi1.2合金的储氢性能。虽然XRD没有检出合金中有LaNi5相的存在,但是FeTi1.2合金的储氢性能特别是活化性能得到了改善,FeTi1.2+xwt%LaNi5合金还具有较高的储氢量,293K吸氢的FeTi1.2+2wt%LaNi5合金在333K时的放氢量为186.4ml/g,明显超过FeTi1.2合金的172.3ml/g。
关键词
FeTi1.2合金
储氢性能
活化
贮氢合金
Keywords
FeTi 1.2 alloy
hydrogen storage performance
activation characteristic
分类号
TG139.7 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
外延工艺在集成电路制造产业中的应用
向玉双
《集成电路应用》
2006
2
下载PDF
职称材料
2
合金FeTi_(1.2)+xwt%LaNi_5(x=0,1,2,3,4)储氢性能的研究
向玉双
杜立新
叶辉
黄铁生
徐乃欣
邬君飞
《功能材料与器件学报》
CAS
CSCD
2002
0
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