SiO2-TiO2薄膜的制备及光致超亲水性能研究

为了制备具有良好的光致超亲水性的SiO2-TiO2薄膜,实验用溶胶凝胶法结合超声技术以正硅酸乙酯(TEOS)和钛酸丁酯(TBOT)为前驱体制备SiO2-TiO2溶胶;采用浸渍提拉法在普通载玻片上涂膜;然后分别运用微波炉和马弗炉2种不同的烧结方式进行热处理制得产品。将所得产品分别进行接触角、紫外-可见分光光度计、FT-IR、AFM测试。结果表明:马弗炉烧结得到的SiO2-TiO2薄膜亲水性要好于微波炉烧结,并且在V(TEOS)∶V(TBOT)=0.75∶1时,接触角最小,可达到4.3°,满足防污自清洁的要求;红外谱图说明有Ti—O—Si键的生成,证明SiO2和TiO2之间生成了复合氧化物。

SiO_2-TiO_2亲水薄膜的制备及热处理对其亲水性能的影响

为了制备在自然光下具有良好的亲水性能的Si O2-Ti O2薄膜,实验用溶胶-凝胶法以正硅酸乙酯(TEOS)和钛酸丁酯(TBOT)为前驱体水解制备Si O2-Ti O2溶胶;采用浸渍提拉法在普通载玻片上涂膜;然后分别运用微波炉和马弗炉两种不同的烧结方式进行热处理制得产品.将所得产品分别进行接触角、紫外-可见分光光度计、IR、XRD和SEM测试.结果表明:马弗炉烧结得到的Si O2-Ti O2薄膜亲水性要好于微波炉烧结,并且在VTEOS∶VTBOT=0.75时,接触角最小,可达到4.3°,在自然光照15 s后,水滴可以在薄膜表面完全铺展开,达到0°,满足防污自清洁的要求;马弗炉和微波炉烧结的产品的红外谱图说明有Ti—O—Si键的生成,证明Si O2和Ti O2之间生成了复合氧化物,但相比于马弗炉,微波炉所制产品的亲水基团在烧结过程中可能遭到破环.

透明导电银膜光电性能及研究概况

伴随着智能电子商品的迅猛发展,寻求一种新的成本低廉的透明导电薄膜来替代ITO薄膜已成为人们的研究热点。网栅银膜和纳米银线薄膜(AgNWs)由于高载流子浓度、高变形伸长率和耐氧化的特点,在微电子、触控等许多领域有广阔的应用前景,成为近年来广泛研究的多功能材料之一。本文介绍了两种透明导电银膜的薄膜结构、制备工艺、光电性能及发展现状,说明了网栅银膜的图形结构设计及不同网栅结构的特点及应用场景,测试对比了两种透明导电银膜的透光率、方阻、电磁屏蔽效能。结果显示纳米压印工艺制备的网栅银膜光电性能最优异,同时该技术自主可控。

15吋电加热屏蔽玻璃的制备及性能研究

15吋电加热屏蔽玻璃可解决机载、舰载显控台低温启动和电磁兼容问题。采用ITO导电玻璃和金属网格膜分别作为面发热加热膜和电磁屏蔽材料,通过真空高压热复合工艺和OCA贴合工艺将加热膜、外层防护层以及电磁屏蔽层复合成型,制备了15吋电加热屏蔽玻璃。对15吋电加热屏蔽玻璃的可见光透过率、加热性能、电磁屏蔽效能进行了测试分析,试验结果表明在−40℃环境下,输入电压24 V时,加热15 min后,15吋电加热屏蔽玻璃表面温度可达到33℃。

加强甲方对工程项目的管理 保证工程质量

一个工程项目．无论大小．必须有科学的管理方法、严格的规章制度、良好的组织协调力，才能保证优质的工程质量。甲方作为建设工程的主体．拥有建筑产品的使用权和经营权．并且参与到建设项目管理的全过程．起着领头羊的作用．所以甲方对工程项目管理更为重要。

直流溅射ITO薄膜光电性能研究

采用直流溅射法制备了高性能的ITO薄膜。结果表明,氧气分压比和衬底温度对薄膜的方阻、可见光透射率具有重要的影响。其最佳值分别为0.5/50和350℃;同时,随着膜厚的增加,薄膜的晶粒增大,导电率也相应降低。

生长温度及催化剂结构对碳纳米管形貌的影响

采用热CVD制备了图形化碳纳米管阵列薄膜。着重研究了生长温度、催化剂结构对碳纳米管形貌的影响。结果表明,当温度<800℃时,生长的碳纳米管纯度较低;当温度为850℃时,生长为碳纤维;当生长温度为800℃时,生长纯度较好的碳纳米管,但碳纳米管垂直性较差。采用Al/Fe催化剂结构,生长出图形化的阵列化碳纳米管薄膜。

交联剂用量及交联剂复配对脱酮肟型单组分室温固化导电胶性能的影响

制备了脱酮肟型单组分室温固化导电胶,重点研究了交联剂用量及交联剂复配对导电胶表干时间、力学性能及导电性能等的影响。结果表明:适当提高交联剂用量可以缩短导电胶的表干时间,提升力学性能及导电性能;当不同交联剂复配,调节合适的配比时,可进一步改善导电胶性能。

烧结温度对SiO_2-TiO_2薄膜亲水性的影响

为了确定SiO2-TiO2薄膜制备过程的最佳烧结温度,将不同SiO2与TiO2掺杂比的样品分别在400℃和500℃下煅烧,进行与水的静态接触角测试。结果表明,在一定掺杂比范围内,SiO2的掺杂能明显提高TiO2表面亲水性,并且500℃煅烧的产品亲水性要好于400℃煅烧的产品。SEM和XRD表明,500℃煅烧的产品表面颗粒粒径要大于400℃煅烧的产品的表面颗粒粒径,并且已有了比较明显的锐钛矿晶型特征峰,而400℃煅烧的产品还是无定形态,这说明SiO2的掺杂抑制了TiO2晶粒的生长和晶型的转变。而锐钛矿晶型的TiO2亲水性要远好于无定形的TiO2,致使500℃煅烧的产品的亲水性要好于400℃煅烧的产品的亲水性,因此500℃才是SiO2-TiO2薄膜的最佳烧结温度。

钡铁氧体/石墨烯复合材料的制备和研究

以溶胶-凝胶法制备M型钡铁氧体,在850℃的煅烧温度,不同保温时间的条件下制得粉末样品,并对制备产物的物相、形貌和磁性能利用XRD、SEM、网络分析仪等检测技术进行表征。实验结果证明:在850℃煅烧,不同保温时间所得产物都为较纯的BaFe_(12)O_(19)铁氧体,并且随着保温时间的增加,铁氧体粉末粒径尺寸逐渐变小,在同样匹配厚度的情况下,铁氧体的反射率的吸收峰都有不同程度增强。将在850℃煅烧,保温3小时制得的钡铁氧体与石墨烯混合,以石蜡为基体制得样品,石墨烯与钡铁氧混合物所占质量分数为75%,按石墨烯与钡铁氧体的质量比分别为4:1,3:1,2:1制成圆环状样品,测得电磁参数,再模拟不同质量比下样品的反射率。结果表明:随着石墨烯/铁氧体质量比的增加,吸收峰在降低,但是吸收频带宽在变大,石墨烯对复合材料的电磁性能具有一定的调控作用。

北方地区城镇住宅节能设计评价研究

参照国内外绿色节能建筑评价体系,结合北方地区城镇住宅实际情况,构建了单体住宅建筑的节能设计评价体系,以直接影响建筑能耗的因素作为评价体系指标架构,采用定量权重确定法确定指标权重,并给出了各因素评分标准和目标层分值计算公式,评价模式具有灵活性和科学性。该体系建立了一个对节能设计的各项指标进行综合评价的平台,简便快捷,可操作性强,适合建筑师使用。

医院建筑工程发包模式的SWOT分析

本文对常见的几种建筑工程发包模式与SWOT分析法进行了介绍,并从内部资源的优势、劣势,以及外部环境的机会、威胁这四个方面,对DBB、EPC、CM这三种常见的发包模式进行了分析。

基于总体规划设计构架下的医院前期改建扩建核心思路探索

对现有的医院进行改扩建是当前医院改革与现代化发展的必经途径。在改扩建的过程中,如何以总体规划设计为纲领,满足医院建筑的功能性、专业性、复杂性。文章通过对医院总体规划设计的分析,探索了基于总体规划设计构架下的医院前期改扩建的核心思路。

土建工程现场施工技术管理的分析

本文着重城市发展中城市建筑物工程现场施工技术管理的问题。在我国建筑行业不断发展的情况下,施工现场的管理工作越发重要,要求建筑工程施工从设计开始就要一步一步按照相关规定条例执行。作为施工的重要部分施工现场有着极其特殊的作用,其情况多变,管理工作复杂,容易出现突发事故,因此施工现场就需要严格的管理制度来降低这类突发事件发生的可能。

医院建筑工程各阶段的质量内涵分析

医院建筑工程向来以复杂性与专业性著称,其建筑质量更是会直接影响到医院服务功能的发挥,进而影响到其经济效益与社会效益。本文对影响医院建筑工程质量的几个主要因素进行了分析,并从建设组织、规划设计、招投标、监督管理、施工管理这五个阶段入手,分析了如何有效地把控医院建筑工程各阶段的建设质量。

碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响

采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素。结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米管阴极场发射性能会有一定程度的提高,同时场发射性能的稳定性增加;阴阳极距离15μm时,碳纳米管具有最好的场发射性能。

材料屏蔽效能测试方法比较研究

屏蔽效能是对屏蔽体隔离或限制电磁波的能力的度量,是反映屏蔽材料最主要的指标,因此,屏蔽效能测试技术的规范性、适用性至关重要。目前屏蔽效能测试标准已有十几种,包括国标、国军标、行标等,虽然每种方法都能获得实验数据,但不同测试条件下的实验数据差异性很大,影响到屏蔽材料的应用。该文从屏蔽效能测试基本原理入手,分析了现行标准中材料屏蔽效能的主要测试方法,并通过平面屏蔽材料试验验证,对比了GB/T 12190-2006和GB/T 30142-2013中屏蔽室窗口测试法的差异性,进一步试验了不同天线测试距离和校准参考方式对测试结果的影响,以期为屏蔽材料的设计和装备整体规划提供一定的指导。

基于含金属的DBR近中红外与激光兼容隐身薄膜的设计及性能研究

为达到近中红外与激光兼容隐身的双重目的,设计了一种由Ag和ZnS构建的含缺陷的分布式Bragg反射镜(Distributed Bragg reflector,DBR)。利用掺杂原理,在含金属的DBR中引入缺陷,使其在650~5000 nm禁带范围内1060 nm处出现缺陷模。采用COMSOL研究了周期数N_(c)、缺陷层膜厚对近中红外及缺陷模的影响规律。研究结果表明:缺陷模随缺陷层膜厚减少而蓝移。随含缺陷周期结构N_(c)增加,缺陷模宽度变窄,其缺陷模以中心波长为中心成对出现,呈现出良好反射型梳状滤波器的特征。通过控制N_(c),可对梳状滤波器的齿数和齿距进行有效控制。当N_(c)=1时,可实现650~5000 nm波段全反射,1060 nm处出现缺陷模,其反射率仅为4%。这种具备“光谱挖空”特征的含金属的DBR,能够进行近中红外波段和1060 nm处的激光兼容隐身。和异质结电介质光子晶体相比,该结构具有结构对称、结构简单、膜层层数较少的优势。