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ZnO半导体薄膜的研究进展 被引量:2
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作者 吕承瑞 王小平 +1 位作者 王丽军 雷通 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI 2008年第3期216-218,229,共4页
介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平... 介绍了制备氧化锌薄膜的几种主要方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法等;分析了氧化锌薄膜作为代替透明导电膜(ITO膜)的可行性及这方面的研究进展;阐述了氧化锌薄膜作为一种新的场发射阴极材料应用于平板显示或作为场发射电子源的研究进展,同时综述了其作为发光器件的众多优势。 展开更多
关键词 ZnO半导体薄膜 ITO膜 场发射阴极材料 LED
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第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用 被引量:10
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作者 雷通 王小平 +3 位作者 王丽军 张雷 吕承瑞 王隆洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期7-11,共5页
LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好。宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点。目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,... LED产业目前发展非常迅速,LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好。宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力,并已成为很多国家研究和开发的热点。目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快,其应用越来越广泛,相关技术也日渐成熟。综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用以及各自面临的问题。 展开更多
关键词 宽禁带半导体材料SiC GAN ZnO金刚石发光二极管
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新型结构碳材料——碳纳米针
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作者 张雷 王小平 +4 位作者 王丽军 段新超 王隆洋 雷通 吕承瑞 《微细加工技术》 2008年第5期53-55,共3页
采用钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)设备,以氢气和甲烷作为反应气源,制备了一种新型结构碳材料——碳纳米针。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对其形态结构和成份进行了分析研究,结果表明,该种新型结构碳材料具有与碳纳米棒、... 采用钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)设备,以氢气和甲烷作为反应气源,制备了一种新型结构碳材料——碳纳米针。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对其形态结构和成份进行了分析研究,结果表明,该种新型结构碳材料具有与碳纳米棒、碳纳米丝相似的性质,而且由于这种碳纳米针独特的结构,更适用于作为扫描探针显微镜的电子探针,从而使得其在某些领域(如电子源探针、扫描探针显微技术、纳米电子器件等)具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 纳米碳材料 微波等离子体化学气相沉积 碳纳米针
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Electroluminescence from Multilayered Diamond/CeF3/SiO2 Films 被引量:2
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作者 雷通 王小平 +3 位作者 王丽军 吕承瑞 章诗 朱玉传 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2010年第4期231-233,共3页
我们与三层的结构(diamond/CeF3/SiO2 电影) 报导一台薄电影 electroluminescent 设备,它在 dc 电压 215 V 有 1.5cd/m2 的发光性。在主要山峰在 527 和 593 nm 定位的房间温度表演的 electroluminescence 光谱,它被归因于 Ce3+ 离子... 我们与三层的结构(diamond/CeF3/SiO2 电影) 报导一台薄电影 electroluminescent 设备,它在 dc 电压 215 V 有 1.5cd/m2 的发光性。在主要山峰在 527 和 593 nm 定位的房间温度表演的 electroluminescence 光谱,它被归因于 Ce3+ 离子的孤立的排放中心。 展开更多
关键词 薄膜电致发光器件 多层膜 电致发光光谱 三层结构 直流电压 发射中心
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Field electron emission from bunchy flake-like nano-carbon films
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作者 王小平 王丽军 +4 位作者 段新超 王隆洋 张雷 吕承瑞 雷通 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第5期2078-2081,共4页
This paper reports that bunchy flake-like nano-graphite crystallite films (BNGCFs) were deposited on Si substrates by using the microwave chemical vapour deposition technique. Furthermore the BNGCFs were characteriz... This paper reports that bunchy flake-like nano-graphite crystallite films (BNGCFs) were deposited on Si substrates by using the microwave chemical vapour deposition technique. Furthermore the BNGCFs were characterized by x-ray diffraction spectra, scanning electron microscopy, Raman spectra and field emission (FE) I-V measurements, and a lowest turn-on field of 1.5 V/μm, and a high average emission current density of 30 mA/cm2 at a macroscopic electric field of 8.0V/μm were obtained. The J-E data did not follow the original Fowler-Nordheim (F-N) relation since they were not well represented in the F-N plot by a straight line. A model considering the F-N mechanism, and the statistic effects of FE tip structures has been applied successfully to explain all the FE data observed for E 〈 8.SV/μm. 展开更多
关键词 bunchy flake-like nano-graphite crystallites films chemical vapour deposition electronfield emission
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