基于MEMS微镜的激光干涉直写设备曝光时间优化

使用微机电系统(MEMS)微镜搭建的光扫描式激光干涉直写设备具有体积小、直写速度快、光路简单等优点,但是其扫描时需要对曝光时间进行修正以达到均匀的曝光效果。介绍了该激光干涉直写设备的光路组成以及控制方法,利用查表法对生成的曝光图样和曝光时间参数进行了优化,使像素点直径变化从84%降低到了6%,解决了应用MEMS微镜激光干涉直写设备时存在的曝光时间不均匀的问题。