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NTD CZ-Si辐照缺陷与O、C杂质相互作用对电学性能的影响
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作者 李伟 吕淑求 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期32-34,共3页
本文研究了中子嬗变掺杂直拉硅(NTD CZ-Si)经800℃退火后辐照缺陷与O、C杂质相互作用对单晶电学性能的影响,发现了750℃退火“平台”现象,并对辐照施主(ID)的产生机理和电学性能等给予了理论解释,对NTD CZ-Si应用于大规模、超大规模集... 本文研究了中子嬗变掺杂直拉硅(NTD CZ-Si)经800℃退火后辐照缺陷与O、C杂质相互作用对单晶电学性能的影响,发现了750℃退火“平台”现象,并对辐照施主(ID)的产生机理和电学性能等给予了理论解释,对NTD CZ-Si应用于大规模、超大规模集成电路和半导体器件制作具有重要意义。 展开更多
关键词 直拉硅 CZ-SI 缺陷 杂质 电学性能
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