Si_3N_4膜绝缘与击穿特性的研究

论述以SiH_4+Ar+N_2为源气体的PECVD氮化硅膜层绝缘与击穿特性。通过改变沉积温度、反应气体比、沉淀时间等因素,系统研究了这些沉积工艺参数对Si_3N_4膜绝缘耐压性能的影响。在一定的沉积条件下,得到了耐压性能可与LPCVD工艺所沉漠层相比拟的优质Si_3N_4介质膜。在用AES对膜层微观成份分析的基础上,对Si)3N_4膜的三步沉膜机理进行了一些有益探讨。

日本气敏元件的进展

在日本,气敏元件(主要是半导体气敏元件)得到了广泛的应用.以1988年为例,用于城市煤气和液化石油气气体检测器年产四百五十万台;用于汽车发动机控制的λ-敏感元件年产一千一百万只.空气纯化中对气敏元件的需求自1985年以来也日益增长,近年来完全自动化的空气纯化器已经普及,到1988年年产已达四十万台.从产量和需求来看,日本是世界上头号生产和使用气体传感器的国家,因而在日本进行了许多有关的基础研究和开发工作.

微机电系统

分析了微机电系统发展的可能性、必然性和对科学与经济发展的巨大意义。总结了发展微机电系统的若干主要的工艺技术。介绍了微机电系统当前的进展与发展前景。

微机械加工技术

微机械加工技术是发展微型固态集成传感器,微执行器和微机械构件的一种关键技术,它以硅作为基本材料,集合了精密腐蚀、薄膜生长、硅—绝缘体和硅—硅的键合技术、层间连接技术以及其它集成电路的典型工艺去制造各种三维以硅为基础的微机械和微型器件。本文重点介绍微机械加工的几种关键技术和我们的主要研究结果。

Ta_2O_5薄膜的离子敏感特性

用磁控溅射法制备了Ｔ０ａ２Ｏ５薄膜，再用Ｃ－Ｖ法和ＪＦＥＴ外接薄膜电极法研究其稳定性和离子响应灵敏度．实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度和良好的稳定性．

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响。对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P的关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响,对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。

p─n结自致停腐蚀稳定性和电极系统的研究

本文重点是研究在ｐ─—ｎ结自致停腐蚀中引起不稳定的各种因素、各种电极系统的适用性，以及白金对电极界面电位的变化规律，从而有助于正确的设置电极电位，使这种技术得以在实践中广泛使用。

微型全化学分析系统

分析化学、传感器技术和微机械加工相结合，产生了微型全化学分析系统，它是全新概念的化学传感器，具有较好的选择性并能实现准实时监控。色谱分离是系统中的关键技术，毛细区带电泳法最适于微型化。

水热法制备二氧化钛晶须

采用水热合成法制备了金红石结构的ＴｉＯ２晶须，对晶须作了Ｘ射线衍射结构研究分析和扫描电镜形貌观察。

P-N结自致停精密腐蚀的研究

本文系统地研究了p-n结自致停精密腐蚀时的J-V特性,腐蚀自致停时电流变化的性状和实现这种精密腐蚀的关键工艺,同时也探讨了这种自致停腐蚀样品表面粗糙度、腐蚀速率与工艺参数及其他条件的关系,目的在使其能成为一种实用化的技术。 p-n结自致停腐蚀克服了p^(+)自致停腐蚀的缺点,且又保持了硅各向异性腐蚀的特性。

BaTiO_3纳米粒子/环氧精细功能复合材料的制备及其介电性能的研究

采用精细复合工艺，制备了ＢａＴｉＯ３纳米粒子／环氧复合材料，研究了该复合材料的介电常数随ＢａＴｉＯ３含量的变化关系，以及复合材料的介电损耗性能。

PTCR阻值的控制与调整

从晶粒电阻、晶界电阻以及陶瓷基体与金属电极接触电阻三方面详细讨论了材料配方及工艺对PTCR阻值的影响规律.烧结后样品阻值可通过后续处理调整到所需的数数.

采用溶胶-凝胶法制备梯度光学功能材料

采用溶胶凝胶制备抛物线型梯度折射率材料，材料的折射率曲线由折射率调制元素在湿凝胶中的化学反应和扩散产生．本文详述了材料的制备过程。

电化学原子层外延及 Te、Cd 元素欠电势沉积研究

阐述了一种外延沉积化合物半导体的新方法———电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ），并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论．着重研究了Ⅱ、Ⅳ族元素Ｃｄ、Ｔｅ的电化学欠电势沉积，根据电化学循环伏安曲线，研究了Ｔｅ与Ｃｄ在ＳｉＡｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值．由此确定了在ＳｉＡｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ、Ｃｄ原子层的方法．在此基础上，初步进行了多次交替沉积，并用ＡＦＭ与ＡＥＳ研究了所得样品表面形貌与成分．

钛酸铅热力学及其铁电相变的研究

在不同的边界条件下，考虑到钛酸铅的晶粒界面能和表面自由能，利用广义的Ｃｌａｕｓｉｕｓ－Ｃｌａｐｅｙｒｏｎ关系式以及Ｌａｎｄａｕ－Ｇｉｎｓｂｕｒｇ－Ｄｅｖｏｎｓｈｉｒｅ热力学方程，求得了在不同受力状态、薄膜厚度及超微粒子的晶粒尺寸与自发极化强度和铁电相变温度之间的关系，理论分析能够很好地解释实验现象。综合文献的报道，对钛酸铅的铁电物性给予了全面的总结。

高介电常数有机复合介质功能材料

高介电常数复合材料在储能和实现电场均匀化等方面的作用，使得它在电工、电子技术领域有着特殊的意义。可塑性高介电常数多相复合材料在实现电场均匀化方面的研究还在起步阶段，笔者从这一目的出发，采用精细复合工艺，经试验制备了ＢａＴｉＯ３／聚合物两相复合材料和碳黑／ＢａＴｉＯ３／聚合物三相复合材料。研究了该复合材料的介电性能随其中的ＢａＴｉＯ３和碳黑的含量不同而采用梯度介电复合材料可实现电缆终端的不均匀电场均匀化。

水溶液中阴极电沉积半导体 CdTe 薄膜性能的研究

研究了半导体ＣｄＴｅ薄膜不同阴极电沉积条件（搅拌、加温）下，沉积电位与电流密度、沉积速率的关系。着重研究了沉积电位对ＣｄＴｅ膜层成份及导电类型的影响，通过控制沉积电位制备了不同导电类型的半导体ＣｄＴｅ薄膜。对沉积膜形貌和结构分析表明，室温搅拌条件下沉积的ＣｄＴｅ薄膜，整体均匀性好，呈非晶结构，氮气氛中高温退火后，ＣｄＴｅ膜沿一定方向有较明显取向。

火灾传感器

发生火灾时，会出现火焰、烟雾和热等物理现象，所以对火焰、烟雾和热的探测能实现对火灾的报警。火焰探测器是利用火焰的辐射光谱作为探测信号的，有紫外探测器和ＣＯ＿２共鸣辐射检出型两种传感器。常用的热探测器有定温式和差动式。

半导体CdTe薄膜电化学沉积研究

本文研究半导体ＣｄＴｅ薄膜在ＩＴＯ透明导电玻璃基底上的电化学沉积。分析了电化学沉膜过程以及反应机理，对不同电参数下沉积膜进行了性能表征，研究了温度、沉积电压等参数对膜性能的影响，探讨了制备颗粒细小、均匀性好并具有一定择优取向的ＣｄＴｅ薄膜的方法。