碳化硅MOSFET行为建模方法

针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了SiC MOSFET的静态特性并考虑了其温度特性,对两个主要的寄生电容采用了非线性拟合的方法。叙述了模型的构成和实现,与传统方法相比,建模过程中所有参数均基于数据手册,无需进行额外的实验和测试,极大地降低了建模难度。双脉冲测试结果表明模型具有很高的精度。

三相四线制背靠背变换器零电压开关技术

提出了一种零电压开关ZVS(zero-voltage-switching)三相四线制背靠背BTB(back-to-back)变换器拓扑及齐边沿脉宽调制EA-PWM(edge aligned pulse width modulation)方法,辅助开关仅需要在每个开关周期内动作一次,就可以实现BTB变换器中所有功率器件的零电压开通。介绍了电路拓扑及调制方法,进行了阶段分析,并推导出了零电压开关条件。最后在一台50 kVA的绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)实验样机进行了验证。