冠醚除钠的局限性

本文分析了冠醚分子在SiO_2层中造成的电场分布情况,证明冠醚除钠的有效深度不过1nm左右,因此只能清除半导体器件表面浅层的Na^+沾污,对SiO_2层深处的Na^+并无作用.

金属-绝缘层-半导体结构泊松方程的数值解法

详细讨论了金属-绝缘层-半导体结构一维泊松方程的数值解法.推导了非均匀结点下的牛顿迭代公式.提出了边界条件的恰当形式.作为具体应用的实例,由热氧化MOS结构的高频C-V测量曲线进行了数值计算,获得了Ψ_s-V_G关系及界面陷阱密度分布.将这种方法与常用的准静态C-V法作了实验比较,两者的结果符合良好.但前者在制样、测量方面都比后者简单得多,故适合作为工艺监测的常规手段.

MIS结构中Ψ_s—V_G关系的测定

分析了准静态法的局限性,描述了杂质分布确定、高频C—V测量与数值计算三结合的测定方法.讨论了泊松方程的数值解,推导了非均匀结点下的迭代公式,给出了边界条件的恰当形式.

高低结比电阻的修正公式

本文在Warner-Grung的高低结理论基础上修正了势垒高度和结中最大电场,获得计算高低结比电阻的一个修正公式.修正的幅度在一个数量级左右.

P^+-n^+隧道结的比接触电阻

本文根据Kane的直接隧穿理论,结合欧姆接触的特点,导出了p^+-n^+隧道结比接触电阻的计算公式.此式适用于直接能隙半导体,也适用于Si.在N_D+5×10^(20)cm^(-3)的磷浓度下,对一系列N_A值,按此式计算了Al/n^+-Si的比接触电阻R_(co)结果与Finetti等的测量值在数量级上完全一致.证明AL/n^+-Si的R_c基本上由其中的p^+-n^+结决定,因而与合金工艺有密切关系.

磁电阻率效应的起因

本文针对简单能带结构，从磁场下载流子二次偏转的基点出发，对磁电阻率效应的起因作了新的解释．