Au-Al键合系统失效机理及金层厚度对失效模式的影响研究

本文研究了国产普通TO型管壳中的可伐基底上镀金层与Al-1％Si丝键合后,在恒温老化过程中Au-Al之间互扩散及金属间化合物的形成情况,同时由于Kirkendall效应的存在,引起孔洞的形成而造成Au-Al系统失效。结果表明:在Au-Al键合系统中,存在着三种失效模式:HB、BL(Ⅰ)和BL(Ⅱ)型,其中BL(Ⅰ)型是致命失效,造成BL(Ⅰ)型失效的原因是Kirkendall孔洞的存在,一定的金层厚度是形成Kirkendall孔洞的必要条件,造成不同失效模式的原因是由于镀金层厚度的不均匀性而引起的。

集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究

本文研究了国产中规模集成电路铝金属化系统电迁移失效机理以及磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺钝化层对铝条失效行为的影响,并对铝条的形貌进行了扫描电镜观察和分析。实验测得铝条电迁移失效激活能为0.48eV。

半导体器件中Au-Al键合失效机理及影响因素研究进展

半导体器件中 Au-Al 键合系统失效在国外早就引起重视,许多专家学者在此领域进行了广泛和深入的研究工作。目前在国內尚未看到有关这方面的文献报道,而 Au-Al 系键合失效现象却在不断涌现。本文就国外近20多年来对 Au-Al 系统失效机理及影响因素的研究工作进行了介绍和评述。