超高密度信息存储材料及技术研究进展

信息技术的飞速发展,要求不断开发出具有更高信息存储密度及更快响应速度的材料和器件,因而在纳米尺寸上实现信息存储功能的新型超高密度信息存储材料已成为当前信息领域一个发展速度快、学科交叉多、竞争十分激烈的研究热点,简要介绍了近年来该领域主要的研究方法,并着重对利用扫描隧道显微镜/原子力显微镜(STM/AFM)写入信息的存储材料的最新研究进展进行了综述。

超高密度电学信息存储研究进展

21世纪是经济信息化、信息数字化的高科技时代,信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的要求需要不断研究和开发更高存储密度、更快响应速度、更长存储寿命及可反复读、写的材料和器件.在纳米/分子尺度上实现存储功能的超高密度信息存储已成为当前信息领域一个倍受关注的研究热点.本文从存储材料和技术角度介绍了基于电学双稳态的超高密度信息存储最新研究进展.