普通菜豆抗锈病基因SCAR标记鉴定

利用10个普通菜豆抗锈病基因SCAR标记(SK14、SA14、SI19、SBC6、SAD12、SAE19、UR11-GT2、KB126、SF10和SBA8)引物组,对78份生产和研究中常用的普通菜豆资源进行了抗锈病分子标记鉴定。在这78份资源中,SA14和KB126标记引物扩增无特异性,SI19和SAD12无扩增带。其中,8份资源含有SK14标记,23份资源含有SBC6标记,28份资源含有SAE19标记,5份资源含有UR11-GT2标记,62份资源含有SF10标记,76份资源含有SBA8标记。含有2-5个标记的资源共67份。明确了78份参试菜豆资源所含的抗锈病基因类型,表明含有多个抗锈病基因的菜豆资源较为常见。

黄瓜抗白粉病分子育种研究现状与展望

对黄瓜白粉病病原菌的种类及生理小种分化、抗性遗传规律、分子标记及QTL定位等方面的研究进展进行了综述。对黄瓜白粉病抗病遗传规律的研究结果进行了对比分析,指出了现阶段研究中存在的问题,并提出相应的解决方案和建议,对今后的研究方向进行了展望。

普通菜豆抗白粉病基因SCAR标记鉴定

利用8个来自于普通菜豆抗白粉病基因SCAR标记（SAU5、SS18、SF6Em3、SF12R9、SF13R10、SF18R7、SF18R15和SMelEm5）引物组，对78份普通莱豆资源进行抗白粉病分子标记的鉴定。结果表明：在这78份资源中，SF12R9、SF13R10、SFl8R7、SF18R15和SMelEm5均无扩增带。有52份资源含有SAU5标记，66份资源含有SF6Em3标记，76份资源含有SS18标记。76份资源含有2～3个标记。该研究明确了78份参试菜豆资源所含的抗白粉病基因类型，并筛选出抗自粉病基因聚合体的参试菜豆资源。

Au纳米颗粒/BFO/ZnO复合结构的光电化学性质的提高

本文通过磁控溅射技术在ITO导电玻璃上制备了多晶的铁酸铋(BFO)薄膜,并负载了适量的Au纳米颗粒来提高样品的光电流。Au纳米颗粒的表面等离子共振效应以及金属/半导体界面处形成的肖特基势垒均有利于提高电子-空穴对的分离。10 nm ZnO过渡层的引入使得BFO薄膜表面的平整度,致密性,结晶度得到了很好的改善,从而减小了BFO薄膜的漏电流,提高了BFO薄膜的剩余极化。BFO薄膜经过极化后产生的退极化场也促进了电子-空穴对的分离,减少了光生载流子的复合,从而可以获得更好的光电化学性能。

Ti1-2xAlxNbxO2陶瓷介电性质的研究

本文通过传统的固相烧结法制备了一系列(Al+NB)共掺杂锐钛矿TiO2陶瓷,浓度分别为0.5%, 1%, 2% 和5%,摸索出了拥有优异介电性能的掺杂TiO2陶瓷最佳制备条件:掺杂量x = 0.02时,在1500℃温度下空气气氛中烧结10 h。通过对样品的微观结构、元素以及价态分析、介电温度谱等方面的研究,实验发现Ti1-2xAlxNbxO2陶瓷由锐钛矿型结构转变为金红石相结构;具有很高的致密性;陶瓷的介电性能有很好的频率稳定性以及温度稳定性;表面势垒层电容效应与晶界效应引起的界面极化效应均不是引起巨介电的主要原因,优异介电性能的主要因素来自于电子钉扎缺陷偶极子效应。