期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统的研制与应用
被引量:
1
1
作者
方容川
常超
+9 位作者
廖源
叶祉渊
薛剑耿
王冠中
马玉蓉
尚乃贵
牛晓滨
王代冕
吴气虹
揭建胜
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001年第1期74-76,共3页
在863"九五”计划期间,我们研制成功"计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统”,并用此设备在无人值守的情况下,生长出毫米级金刚石和金刚石/硅碳氮多层膜,证明该设备安全可靠,性能优良.
关键词
金刚石薄膜
计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统
应用
膜生长
下载PDF
职称材料
Growth of ZnO Thin Films on Lattice-Matched Substrates by Pulsed-Laser Deposition
2
作者
余庆选
徐波
+3 位作者
吴气虹
廖源
王冠中
方容川
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003年第12期2235-2238,共4页
下载PDF
职称材料
应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究
被引量:
14
3
作者
徐波
余庆选
+3 位作者
吴气虹
廖源
王冠中
方容川
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期204-209,共6页
对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的...
对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响 ,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律 .
展开更多
关键词
应力
镁掺杂
氮化镓薄膜
光致发光
化学气相沉积
拉曼光谱
激子跃迁能量
发光二极管
原文传递
脉冲激光对镍钴基超合金打孔研究
4
作者
马玉蓉
吴气虹
+1 位作者
揭建胜
方容川
《激光与光电子学进展》
CSCD
2001年第9期32-32,共1页
用美国光谱物理公司生产的四倍频Nd∶YAG调Q脉冲激光器,激光输出波长在1064 nm时最大输出能量为1500 mJ,532 nm时为800 mJ,532 nm时为475 mJ ,266 nm时150 mJ.脉冲宽度8 ns, 激光重复率10 Hz;打孔材料为Ni-Go基超合金Inconel-718.这种...
用美国光谱物理公司生产的四倍频Nd∶YAG调Q脉冲激光器,激光输出波长在1064 nm时最大输出能量为1500 mJ,532 nm时为800 mJ,532 nm时为475 mJ ,266 nm时150 mJ.脉冲宽度8 ns, 激光重复率10 Hz;打孔材料为Ni-Go基超合金Inconel-718.这种合金材料除了Ni、Go以外,还含有Cr,Fe,Mo,Ti,Al,Cd和C等. 我们使用短脉冲的4个不同波长的激光对718合金进行打孔,研究了不同波长、不同激光能量和不同透镜焦距对打孔速率和质量的影响.实验表明,在其它条件不变的情况下,存在最佳激光能量和透镜焦距;激光的波长越短,打孔的速率越快同时打孔的质量也越好,即;短波长激光打孔时,孔周围的再铸层和微裂纹明显减少;并讨论了激光与镍钴基超合金作用时的物理现象.(OE8)
展开更多
关键词
脉冲激光
镍钴基
超合金
打孔
原文传递
题名
计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统的研制与应用
被引量:
1
1
作者
方容川
常超
廖源
叶祉渊
薛剑耿
王冠中
马玉蓉
尚乃贵
牛晓滨
王代冕
吴气虹
揭建胜
机构
中国科学技术大学物理系
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001年第1期74-76,共3页
文摘
在863"九五”计划期间,我们研制成功"计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统”,并用此设备在无人值守的情况下,生长出毫米级金刚石和金刚石/硅碳氮多层膜,证明该设备安全可靠,性能优良.
关键词
金刚石薄膜
计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统
应用
膜生长
分类号
TB43 [一般工业技术]
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
Growth of ZnO Thin Films on Lattice-Matched Substrates by Pulsed-Laser Deposition
2
作者
余庆选
徐波
吴气虹
廖源
王冠中
方容川
机构
StructureResearchLaboratory
DepartmentofPhysics
出处
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003年第12期2235-2238,共4页
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究
被引量:
14
3
作者
徐波
余庆选
吴气虹
廖源
王冠中
方容川
机构
中国科学技术大学结构分析中心
中国科学技术大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第1期204-209,共6页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 2 4)
安徽省自然科学基金 (批准号 :0 10 44 70 1)资助的课题~~
文摘
对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响 ,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律 .
关键词
应力
镁掺杂
氮化镓薄膜
光致发光
化学气相沉积
拉曼光谱
激子跃迁能量
发光二极管
Keywords
photoluminescence, strain, Raman spectra
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
原文传递
题名
脉冲激光对镍钴基超合金打孔研究
4
作者
马玉蓉
吴气虹
揭建胜
方容川
机构
中国科技大学物理系
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
2001年第9期32-32,共1页
文摘
用美国光谱物理公司生产的四倍频Nd∶YAG调Q脉冲激光器,激光输出波长在1064 nm时最大输出能量为1500 mJ,532 nm时为800 mJ,532 nm时为475 mJ ,266 nm时150 mJ.脉冲宽度8 ns, 激光重复率10 Hz;打孔材料为Ni-Go基超合金Inconel-718.这种合金材料除了Ni、Go以外,还含有Cr,Fe,Mo,Ti,Al,Cd和C等. 我们使用短脉冲的4个不同波长的激光对718合金进行打孔,研究了不同波长、不同激光能量和不同透镜焦距对打孔速率和质量的影响.实验表明,在其它条件不变的情况下,存在最佳激光能量和透镜焦距;激光的波长越短,打孔的速率越快同时打孔的质量也越好,即;短波长激光打孔时,孔周围的再铸层和微裂纹明显减少;并讨论了激光与镍钴基超合金作用时的物理现象.(OE8)
关键词
脉冲激光
镍钴基
超合金
打孔
分类号
TG13 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统的研制与应用
方容川
常超
廖源
叶祉渊
薛剑耿
王冠中
马玉蓉
尚乃贵
牛晓滨
王代冕
吴气虹
揭建胜
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
2001
1
下载PDF
职称材料
2
Growth of ZnO Thin Films on Lattice-Matched Substrates by Pulsed-Laser Deposition
余庆选
徐波
吴气虹
廖源
王冠中
方容川
《Chinese Physics Letters》
SCIE
CAS
CSCD
2003
0
下载PDF
职称材料
3
应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究
徐波
余庆选
吴气虹
廖源
王冠中
方容川
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
14
原文传递
4
脉冲激光对镍钴基超合金打孔研究
马玉蓉
吴气虹
揭建胜
方容川
《激光与光电子学进展》
CSCD
2001
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部