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多孔硅的微结构及其冷阴极的电子发射特性研究
被引量:
3
1
作者
罗文
胡文波
+2 位作者
郑宇
宋忠孝
吴汇炎
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期30-35,共6页
采用电化学腐蚀法在n型单晶Si基底上制备多孔硅(PS)膜,利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析其微结构特征,研究了硅基底材料、腐蚀电流密度和腐蚀时间等制备条件和工艺参数对PS微结构的影响。实验结果表明,轻掺杂n型Si基底上形成的PS膜...
采用电化学腐蚀法在n型单晶Si基底上制备多孔硅(PS)膜,利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析其微结构特征,研究了硅基底材料、腐蚀电流密度和腐蚀时间等制备条件和工艺参数对PS微结构的影响。实验结果表明,轻掺杂n型Si基底上形成的PS膜(n--PS)中的孔较深且孔径较大,而重掺杂n型Si基底上的PS膜(n+-PS)中的孔分布较为密集,而且呈多分枝结构;腐蚀电流密度相同时,PS的膜厚和腐蚀时间成正比,而在较高的腐蚀电流密度下制备得到的PS膜在结构上更为疏松。制作了基于n+型硅基底的PS阴极,此阴极的阈值电压约为14 V,高于该电压后发射电流随着二极管电压提高而呈指数性增加趋势,而且发射电流对环境气压不敏感,即使在0.1 Pa的低真空中也没有明显的衰减。
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关键词
多孔硅
电化学腐蚀
冷阴极
电子发射
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职称材料
题名
多孔硅的微结构及其冷阴极的电子发射特性研究
被引量:
3
1
作者
罗文
胡文波
郑宇
宋忠孝
吴汇炎
机构
西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室
西安交通大学材料科学与工程学院
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期30-35,共6页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.2010-61)
文摘
采用电化学腐蚀法在n型单晶Si基底上制备多孔硅(PS)膜,利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析其微结构特征,研究了硅基底材料、腐蚀电流密度和腐蚀时间等制备条件和工艺参数对PS微结构的影响。实验结果表明,轻掺杂n型Si基底上形成的PS膜(n--PS)中的孔较深且孔径较大,而重掺杂n型Si基底上的PS膜(n+-PS)中的孔分布较为密集,而且呈多分枝结构;腐蚀电流密度相同时,PS的膜厚和腐蚀时间成正比,而在较高的腐蚀电流密度下制备得到的PS膜在结构上更为疏松。制作了基于n+型硅基底的PS阴极,此阴极的阈值电压约为14 V,高于该电压后发射电流随着二极管电压提高而呈指数性增加趋势,而且发射电流对环境气压不敏感,即使在0.1 Pa的低真空中也没有明显的衰减。
关键词
多孔硅
电化学腐蚀
冷阴极
电子发射
Keywords
Porous silicon
Electrochemical etching
Cold cathode
Electron emission
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多孔硅的微结构及其冷阴极的电子发射特性研究
罗文
胡文波
郑宇
宋忠孝
吴汇炎
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
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职称材料
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