硅中Mo-B络合物的电荷分布

我们对硅中Mo-B络合物的电子态作了SW-Xα自洽计算.通过体系电荷分布分析,结合前文Pd-B络合物的结果,对已被广为接受的描写间隙位过渡金属杂质和替代位IIIA族受主杂质络合物的离子模型的正确性提出了怀疑.

硅中Pd-B络合物性质的理论研究

本文报道硅中间隙位Pd和替位B络合物的Xα-SW自洽计算电子结构的结果.通过与硅中替位B的电子结构以及硅中间隙Pd的电子结构比较,我们发现间隙位Pd原子和替位B原子不形成杂质对能级,通常用来描写间隙位3d过渡金属和IIIA族浅受主杂质对的理论模型──离子模型,不适于处理硅中Pd-B络合物体系.

硅中与钼有关能级的研究

利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,并通过电子辐照、等时热退火等物理过程,鉴别了Si中与钼有关能级的本质.钼在Si中产生两个主要能级E(0.53)和H(0.36),前者为受主态,后者为施主态,这两个能级都与替位Mo原子有关.

巴基球C60内嵌原子(Li,Na,K,Rb,Cs;F,Cl,Br,I)的稳定存在位置及其复合物的几何与电子结构

本文用量子化学EHMO/ASED方法对巴基球C60内嵌原子(A=Li,Na,K,Rb,Cs;F,Cl,Br,I)进行了计算。结果表明除Li、Na外,其它元素当置于C60笼中心附近时,复合物能量最低,最稳定;对于内嵌Li、Na原子的巴基球(Li@C60)及(Na@C60),当Li、Na位于围绕中心的一个球壳层(r～1.5A)内时最稳定。

氢对硅中4d过渡杂质的钝化

本文研究了氢原子与Ｓｉ中４ｄ过渡杂质（Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ）引入深中心的相互作用，得到了Ｓｉ中这些深中心被钝化的难易程度．从钝化角度支持了Ｓｉ：Ｐｄ与Ｓｉ：Ｒｈ中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断，同时提出了Ｓｉ：Ｍｏ中Ｅ（０．５３）和Ｈ（０．１６）两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据，通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用，对氢的钝化机理作了初步探讨．

水分子在Si（100）面上吸附位的确定

本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的势能面．确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的最佳吸附位为洞位．在桥位Ⅰ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高．

Si(113)表面的原子结构

利用LEED研究了Si(113)表面的原子结构.清洁表面是采用离子轰击和退火方法制备的.实验发现:当温度高于600℃时表面为1×1结构,随着温度缓慢下降,表面原子结构发生1×1(?)3×1(?)3×2的可逆相变.

Si(113)表面电子结构的研究

采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.

H原子吸附对Si（113）表面的影响

本文采用半经验分子轨道理论方法ＡＭＩ研究用Ｓｉ１６Ｈ２１模拟的Ｓｉ（１１３）高指数表面及其吸附Ｈ原子的体系，得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化．从生成热分析得知，Ｓｉ（１１３）表面上形成Ｓｉ─Ｈ２吸附比Ｓｉ─Ｈ容易，且为放热吸附；受力分析指出了表面原子再构发生的趋向，而吸附则引起趋向改变．

Si(112)高密勒指数面的理论研究

本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。

(113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究

光致发光（PL）实验表明；与（001）衬底比较，（113）B－GaAs／Al0.3Ga0.7As单量子阱结构（SQW’s）具有增强的光跃迁几率，它被归因于（113）B－GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出：这个数值比以前所报道的都高．

硅中Rh—B络合物性质的理论研究

用原子簇ＲｈＢＳｉ２５模拟含四面体间隙Ｒｈ和替代位Ｂ构成的络合物的硅晶体，采用量子化学中Ｘα－ＳＷ分子轨道理论计算体系的电子结构．电荷分布分析表明，此体系不能用通常的离子模型来描述．

氧合血红蛋白Fe-O_2键合态 ab initio 研究

本文报道用自旋非限制Hartree-Fock方法(spin unrestricted Hartree-Fock method简写UHF)对氧合血红蛋白的Fe-O_2键合态进行ab initio研究。结果表明Fe^(Ⅱ)、Oc和Or的Mulliken布居值分别为24.18、8.19和7.64。这说明氧合血红蛋白的Fe-O_2键合态不发生电子转移。研究模型所得到的频率与实验频率基本一致。研究结果不支持Weiss提出的Fe^(3+)O_2^-模型,为解释血红蛋白传输氧的作用机理提供了新的理论依据。

氧合血红蛋白Fe—O_2键合态ab initio研究

本文报道用自旋非限制Hartree—Fock方法(Spin Unrestricted Hartree—Fock method简写UHF)对氧合血红蛋白的Fe—O_2键合态进行ab initio研究。结果表明Fe^(Ⅱ)、Oc和Or的Mulliken布居值分别为24.18、8.19和7.64。这说明氧合血红蛋白的Fe—O_2键合态不发生电子转移。研究模型所得到的频率与实验频率基本一致。研究结果不支持Weiss提出的Fe^(+++)O_2^-模型,为解释血红蛋白运输氧的作用机理提供了新的理论依据。

科苑中的一棵常青树——记固体物理学家黄昆教授

1985年盛夏的一天,中国科学院学部委员、半导体研究所名誉所长黄昆教授收到第三世界科学院院长、国际理论物理中心主任萨拉姆教授发来的一封电报,电文如下:“黄昆教授,我荣幸地通知您,在7月7日举行的全体大会上,您已被选为第三世界科学院院士,谨致良好的祝愿。”

含杂六角密积结构原子簇Al_(12)M的电子结构

本文用多重散射波(X_α-SW)法对含3d族过渡金属杂质的六角密积(hcp)结构原子簇Al_2M(M为Cr,Mn,Fe,Co和Ni)的电子结构作自洽计算。结果表明,杂质的存在对体系的费密能级附近的电子态有重要的影响。体系的一些重要性质,如电离势并非随杂质原子序的变化作单调变化。

深冷中性铝团簇的产生和光电离

报道了用激光蒸发／分子束方法产生深度冷却的中性金属团簇。产生的铝团簇Ａｌ．（ｎ＝２，……，６，７）用１９３ｎｍ的准分子激光电离，由飞行时间质谱（ＴＯＦＭＳ）探测。对激光蒸发／分子束技术产生的团簇束的特点作了简单评述并与其它团簇源作了比较。

Si(113)表面原子结构的低能电子衍射研究

利用低能电子衍射(LEED)研究了离子轰击加退火处理的和淀积外延的两种Si(113)表面的原子结构。发现对于经750—800℃退火后的两种Si(113)表面,当其温度高于600℃时存在1×1非再构表面相。随着样品温度缓慢地冷却至室温,Si(113)-1×1表面经过3×1(约600—400℃)最后转变为3×2再构。当退火温度为600℃时,则只出现3×1再构,室温下的3×2和3×1表面都是很稳定的。讨论了表面杂质对Si(113)表面原子结构的影响。在衬底温度为580℃的Si(113)表面上进行淀积生长,当外延层厚度约为20个原子单层时,未经退火处理的表面仍显示为清晰的3×1结构。从而证明,利用Si(113)作为衬底进行外延,可获得很完整的表面。

EQUILIBRIUM POSITION, BINDING ENERGY AND CORE-LEVEL SHIFTS OF CARBON MONOXIDE ADSORBED ON COPPER SURFACE——SIMPLIFIED CLUSTER MODEL STUDIES

Ⅰ. MODEL A quantitative description of the interaction between atoms (or molecules) and a solid surface is essential to the understanding of adsorption processes and chemical reactions on the surfaces. An exact quantum mechanical treatment of the real adsorbate-solid-substrate system is not possible. Therefore, a number of simplifications and approximations have to be introduced to make the system tractable.