电力半导体器件及其装置的发展趋势

众所周知,要使电能的产生、输送和利用达到最佳状态,必须对电能的各项参数进行调节和控制,而电力电子变流技术正是把电能的各项参数进行变换的技术.由于采用这种技术,提高了工业生产率、产品质量和产品性能,为大幅度节约电能,降低原材料消耗提供了手段,亦为机电一体化开辟了新道路.电力电子技术是一门多学科技术,它主要由电力半导体器件、电力交流电路和控制技术组成.随着信息电子技术、

电力半导体晶闸管桥臂模块

一、前言电力半导体模块是由各种电力半导体器件的管芯按一定的电路联成,封装在一个绝缘的树脂外壳内制成的。目前一般有两种型式的模块:一种是管芯与底板相互绝缘;另一种是管芯与底板无绝缘隔离。前者应用时比较灵活,设计者可以把一个或几个模块安装在装置的任何接地的金属外壳和框架的任何位置上,或安装在接地的同一散热器上,並联成各种标准的单相、三相桥式电路;而后者却需有公共的阴极或阳极,因而在使用中就有很大的局限性。

带过零触发电路的晶闸管交流开关模块

介绍了晶闸管交流开关模块的结构，技术参数和应用领域，说明了模块的过电流与过电压保护的方法以及散热器的选择。

电力半导体模块及其工艺技术

回顾了电力半导体模块发展里程 ,指出了电力半导体模块今后发展的方向 ,描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了 IGBT模块的结构和工艺技术 ,提出了设计 IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。

晶闸管桥臂模块及其应用

介绍单型晶闸管、整流管桥臂模块的结构、典型的特性曲线、散热器的选择和计算以及模块的发展方向。

交流变频调速传动装置用新型电力半导体器件

电力半导体器件的发展大大促进了交流变频调速传动装置性能的改善，ＭＯＳ栅结构的现代器件的开发成功，可以用很小的输入功率来控制很大的输出功率，并可大大降低装置的功耗，提高工作频率。具有优良反向恢复特性的整流二极管的开发成功，大大降低了高频工作下的功耗。目前的开关器件都是用硅材料制成，但利用ＳｉＣ等材料制成的电力开关器件具有很优良电气特性，是研制理想器件的关键。

带过零触发电路的晶闸管交流开关模块

介绍了晶闸管交流开关模块的结构、技术参数和应用领域,说明了模块的过电流与过电压保护的方法以及散热器的选择。

电力电子技术 国际会议(ICPE’95)所见

电力电子技术国际会议（ＩＣＰＥ’９５）所见张昌利吴济钧西安电力电子技术研究所（西安７１００６１）应东道国韩国电气学会ＫＩＥＥ（ＫｏｒｅａＩｎ－ｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｎｉｎｇ）的邀请，我们一行二人参加了韩国汉城Ｗａｌｋｅｒ...

电力半导体器件的现状及发展趋势

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用，略述了各种双极型电力半导体器件和ＭＯＳ结构电力半导体器件的主要静、动态特性、目前水平、存在问题及发展趋势。简述了功率ＩＣ，新型半导体材料对发展新型高压、大电流、快速、高温功率器件的作用。提出了高压、大电流、高频、模块化和组件化是电力半导体器件今后发展的方向。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

AlN陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物,具有良好的化学稳定性,因此A1N陶瓷很难在高温和氧气氛下与Cu直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板(AlN DBC基板)。若在A1N基片表面上预制一定厚度、且非常致密的Al_2O_3层后,就能借鉴Cu箔和Al_2O_3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。本文简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法,高温氧化法,循环温差交替降温法,磁控溅射法等工艺技术,还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例。

电力半导体模块新趋势

简要叙述了电力半导体模块的发展过程,介绍了晶闸管智能模块的结构和特性,描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势,指出了我国大力发展IPEM的必要性。

IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作研究

IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板(Direct Bonded Copper简称DBC)是在高温(>1000℃)、流动(N_2+O_2)气氛下将厚度0.15mm～0.3mm的铜箔与厚度0.25mm或0.38mm的Al_2O_3陶瓷基片直接单面或双面键合而成的复合材料。它具有优良的热导性,高的电绝缘强度,超级的热循环稳定性,稳定的机械性能和优异的可焊性。它的热膨胀系数与硅很接近,因而可把硅芯片直接焊在DB C陶瓷覆铜板上,从而减掉了过渡层钼片。它可按功率单元电路的要求,像PCB板一样能蚀刻出各种图形作为硅芯片焊接衬底以及主电极和控制极的焊接支架。它载流能力大,其铜箔的电流密度约为铜导体的6～8倍左右。因此DBC陶瓷覆铜板已成为目前电力半导体模块制作的基础关键材料。文章还简要地介绍了淄博市临淄银河高技术开发有限公司在生产IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板过程中所采用的特殊专有工艺技术以及DBC陶瓷覆铜板的规格和主要技术参数。

超快恢复二极管模块的制作技术

介绍了超快恢复二极管(FR印)模块的工艺结构和内部接线图,略述了它的特性参数和应用领域,以及高频应用领域内节电、节材、提高产品质量和劳动生产率的重要作用。

三相超快恢复二极管整流桥开关模块

采用混合集成技术,把由六个超快恢复二极管(FBED)芯片组成的三相整流桥和一个作为开关的晶闸管芯片混合集成在一个PPS外壳内,制成了"三相FBED整流桥开关模块",它主要用于VVVF、SMPS、UPS、逆变焊机、伺服电机传动放大器等具有直流环节的变频器内。简要地介绍了这种模块的设计和制作特点、内部结构、应用领域及其主要技术参数。

氮化铝基陶瓷覆铜板的制作及其应用

氮化铝（AlN）陶瓷是一种共价键较强的非氧化合物，具有良好的化学稳定性，因此AlN陶瓷很难在高温和氧气氛下与铜（Cu）直接键合制成氮化铝基陶瓷覆铜板。若在AlN基片表面上预制一定厚度、且非常致密的氧化铝（Al2O3）层后，就能借鉴Cu箔和Al2O3基片高温键合工艺制作性能优良的AlN DBC基板。文中简要阐述了银河公司在制作AlN DBC基板过程中采用的化学氧化法，高温氧化法，循环温差交替降温法，磁控溅射法等工艺技术，还简要介绍了本公司生产的AlN DBC基板的规格和主要技术参数及其在电力半导体模块中的应用实例.

超快恢复二极管模块的制作技术

本文介绍了超快恢复二极管(FRED)模块的工艺结构和内部接线图,略述了其特性参数和应用领域,以及高频应用领域内节电、节材、提高产品质量和劳动生产率的重要作用。

大功率晶闸管直接浸入氟利昂的冷却技术

叙述了大功率晶闸管直接浸入氟利昂冷却的结构原理,TF113氟利昂的性能和各种测量数据.介绍了能替代钼片和钙片的结构铜材料,列举了用结构铜制成而不用陶瓷外壳、可直接浸入氟利昂内冷却、热效率高的全焊接晶闸管管芯结构.得出了利用氟利昂冷却可缩小晶闸管组件体积和减轻其重量的结论.