凝固界面临界分叉－Sn－Pb共晶定向凝固几何模型

数值求解了Ｓｎ－Ｐｂ共晶定向凝固静态耦合方程．详细讨论了三相交接点处过冷、界面形态及界面分叉特征作为共晶相间距的函数特征．计算发现三相交接点处最小过冷、β（Ｐｂ）相凝固界面形态临界分叉及此界面中心位置极大值三者是一一对应的．提出了共晶定向凝固几何模型并导出了普适标度律：λ～Ｖ－１／２·ｆ（ＧＬ／Ｖ），这里λ为共晶相间距，ＧＬ为温度梯度，ｆ是凝固速度Ｖ的增函数并在Ｖ很高时趋于饱和．

非规则共晶定向凝固结构的标度律

数值求解了Al-Si共晶定向凝固耦合方程,讨论了凝固界面形态作为共晶相间距函数的变化规律共晶凝固界面临界分叉态对应于边缘稳定点和界面位置的极大值点。α-液相界面临界分叉是局域规则层状结构相间距选择点。

脉冲激光淀积制备LiTaO_3光波导薄膜的研究

报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在(001)和(012)蓝宝石衬底上制备LiTaO_3光波导薄膜的实验研究。利用X光衍射和Raman光谱术鉴定所生长薄膜的微结构,研究了脉冲能量、衬底温度、氧分压和淀积室几何等因素对薄膜质量的影响。结果表明脉冲能量和衬底温度对薄膜生长的择优取向有很大影响,而氧分压和淀积室的几何配置主要影响薄膜的生长动力学。在合适的工艺条件下制备出了优质的外延膜,薄膜显示了优异的光波导性能。

连续硅基杂化隔膜涂层对锂离子电池性能的影响

通过卷对卷连续常压等离子体增强化学气相沉积(atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition,AP-PECVD)法,对锂离子电池聚乙烯(PE)隔膜进行涂层,制备了硅基杂化纳米颗粒涂层隔膜。通过衰减全反射傅里叶变换红外光谱仪(ATR-FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和光学接触角测量仪对不同功率密度下涂层隔膜的物化性能进行表征,组装了LiFePO4/Li扣式电池并对其电化学性能进行测试,研究了100次循环后隔膜的表面特性。结果表明:纳米颗粒涂层隔膜含有-COOH、-OH、Si-O-Si、Si-OH等极性亲水基团,可显著降低电解液的接触角,提高润湿性;涂层隔膜的欧姆阻抗(Rs)和电荷迁移阻抗(Rct)显著降低,电导率增加。不同功率密度下的涂层隔膜能显著提高隔膜的物化性能和电池的电化学性能,但涂层隔膜的性能和功率密度之间并不呈正相关的关系,0.83 W/cm2功率密度下的涂层隔膜展示出更优的物化性能和电化学性。1C倍率100次循环后,未处理隔膜和涂层隔膜表面的孔隙都有一定程度的减小且Rs有所增加,但相对未处理的PE,涂层隔膜的颗粒与隔膜表面结合较好,孔径的减小和Rct的增加较少。

氟化锂及氮化亚铜人工固态电解质膜对锂离子电池正极三元材料的改性

在锂离子电池充放电过程中,电解液与电极材料发生反应,形成的固态电解质膜(solid electrolyte interphase,SEI)随着充放电次数的增加而变厚,这将降低电池的循环稳定性。所制备的人工固态电解质膜(a-SEI)可改善锂离子电池的循环稳定性,其主要成分为使用液相法制备的氟化锂(LiF)、氮化亚铜(Cu 3N)纳米颗粒。通过两种不同路径,将两种纳米颗粒先后在锂离子电池正极三元材料LiNi 0.8 Co 0.1 Mn 0.1 O 2(NCM811)电极片表面和活性材料颗粒表面涂覆生成一层a-SEI。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、电化学阻抗谱(EIS)等材料表征和电化学分析方法,解析a-SEI对锂离子电池循环稳定性的影响。结果表明,NCM811材料表面包覆Cu 3N作为a-SEI的电化学性能最好,相比纯NCM811材料,50周循环后的容量保持率可提升26.5%。

低电场下LiNbO_3薄膜在非晶衬底上的取向生长

报道了外加低电场和衬底温度对脉冲激光淀积法制备的ＬｉＮｂＯ３薄膜取向的影响．在衬底温度为６００℃和外加电场为７Ｖ／ｃｍ的条件下，在石英玻璃等非晶态衬底上获得了完全（００１）取向的ＬｉＮｂＯ３薄膜．在对具有自发极化的ＬｉＮｂＯ３在电场作用下成核生长机制和温度对ＬｉＮｂＯ３自发极化强度的影响进行分析的基础上。

非晶态Cu_(125)Ni_(10)Zr_(41)Ti_(14)Be_(22.5)合金相分离的动力学标度

利用实时小角中子散射实验研究了非晶态Ｃｕ１２５Ｎｉ１０Ｚｒ４１Ｔｉ１４Ｂｅ２２５合金相分离的动力学标度性质．通过对相分离过程中实时小角中子散射谱进行详细的标度分析，揭示出散射函数Ｓ（ｑ，ｔ）（ｑ为散射波矢，ｔ为时间）在相分离的早期即达到动力学标度态。

脉冲激光淀积单取向超导Ba_(1-x)K_xBiO_3(BKBO)薄膜

Ba_(1-x)K_xBiO_3(BKBO)氧化物超导体的发现,引起了人们浓厚的兴趣.高温超导体,如YBCO,呈各向异性的电学性质,相干长度ζ较短(ab)平面相干长度约为1.2～1.5nm,c方向相干长度约为0.2～0.3 nm),较难制备出在超导电子学上有重要应用的SIS型隧道结.而BKBO是一立方晶体超导体,具备各向同性的电学性质,并且相干长度较长,约为5～7nm,有可能制备出性能优良的SIS型隧道结.Fink等人制备了滞后的YBCO/SrTiO_3/BKBOJosephson结,并观察到了Shapiro台阶和自感应台阶.BKBK/I/BKBO型结构也相继发表,

Pulsed laser deposition of single-oriented superconducting Ba_(1-x)K_xBiO_3 thin films

The development of superconductor/insulator/superconductor（SIS）tunnel junctions inthe cuprate high-temperature superconductor family has been hampered by an anisotropicstructure and a coherence length ξ as short as 0.3 nm. However, the discovery of Ba1-xKx-BiO3（x≈0.4） superconductor which is an isotropic cubic structure and has a