一种输出可调CMOS能隙基准源电路的设计

从分析典型的能隙基准电路的一般原理入手,重点讨论了一种输出可调节的CMOS能隙基准电路的设计。通过增加一些辅助电路,提高了电路的电源抑制比。简单介绍了电路中双极晶体管在CMOS工艺中的实现方法。所设计的电路具有输出可调的功能和良好的温度特性。

基于Σ-Δ A/D转换的三相ΔPWM控制技术

基于Σ ΔA/D转换的脉冲调制控制技术是将过采样Σ ΔA/D转换技术与PWM控制技术结合在一起的一种新型变频控制技术.文中对其在三相变频控制中的应用原理进行了详细介绍.并对输出基波的V/F变化作了理论分析,同时还给出了三相ΔPWM调制器的设计思路,对影响系统性能的几个重要参数也给出了设计参考公式.设计了一种应用电路,并对其输出用EDA软件Pspice进行了模拟仿真,结果显示该技术可以应用在三相变频控制领域中,有广阔的应用前景.

PWM芯片分析及其振荡器电路的简化设计

分析了当今在PWM方面应用比较流行的一款芯片的主要工作原理,讨论了芯片最重要部分电路的具体电路图以及在此基础上进行的重新设计。

智能功率模块及其应用

介绍了智能功率模块 IPM的一些基本知识 ,进一步介绍了东芝公司生产的 MIG2 0 J10 6 L型 IPM的内部原理 ,并阐述了 MIG2 0 J10 6 L型 IPM的内部保护功能。同时还给出了 MIG2 0 J10 6 L型 IPM结合分立元件在电机驱动中应用的设计方案以及 MIG2 0 J10 6 L型 IPM结合单片机在变频器控制中的应用实例。

基于准浮栅的低功耗差分运算放大器

分析了准浮栅晶体管PMOS的工作原理、电学特性和等效电路,设计了一种电路结构简单的共模反馈电路(CMFB),实现了一个低压低功耗的差分运算放大器。采用Chrt 0.35umCMOS工艺库,在Hspice下仿真结果表明:在电源电压为1.5V时,运放的增益为74.5dB,单位增益带宽为40.5MHz,相位裕度为650,静态功耗为1.2mW。

一种低压I_(PTAT)~2曲率校正CMOS带隙基准源的设计

基于Chrt 0.35μmCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似IP2TAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。

多通道程控延时波形发生器的研究

提出了一种具有程控延时功能的新型多通道波形发生器的设计方案,给出了基于FPGA来实现的原理以及系统结构图,并通过QUARTUSⅡ仿真得到了程控延时波形的仿真实验结果。

一种低压低温漂的CMOS带隙基准源

基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。

一种多模式工作的TFTLCD栅驱动芯片设计

针对不同场合的TFTLCD显示屏,设计了一种工作模式可选的栅驱动芯片。芯片具有输出左移/右移控制、输入输出端口选择、输出模式选择、整体和分段清零等功能,并且各个功能之间可相互配合。通过VSEL1,VSEL2,VOE,R/L四个控制信号的配合使用,实现了一组简单高效的控制电路,完成上述的全部功能。最后给出整体控制电路和芯片工作时序。

跨导系数K_n的可变应用

IC设计中,为计算方便,设计者往往将K_n作为常量使用。这与实际情况不符并会导致设计的电路进行仿真时的结果总与性能指标有一定的差距。本文在仿真基础上,探讨并解释K_n的影响因素。最后针对实际使用的情况,提出在模拟电路设计的定量计算时应合理选取K_n的分区选择法。

一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源

基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路。在1V电源电压下,采用1μmCMOS工艺进行仿真,温度系数在-20～120℃范围内达到13×10-6,低频电源抑制比达到-90dB。

一种CMOS欠压保护电路的设计

本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路,首先分析了电路的工作原理,而后给出了各MOS管的参数计算,并给出pspice仿真的结果。此电路结构简单,工艺实现容易,可用于高压和功率集成电路中的电源保护。西安 710071)

基于SOC应用恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运算放大器

基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、30 pF负载电容和10 KΩ负载电阻情况下,经过Hspice仿真,运放的直流开环增益达到98 dB,相位裕度为65°,输入级跨导最大偏差低于17%。

锂电池保护电路的芯片设计

介绍了锂电池保护电路的一般设计原理,并根据此原理提出了作者的设计思想,以及一部分功能电路的实现方法。

AC型PDP驱动芯片的研究

主要介绍应用于PDP驱动电路中的高耐压驱动芯片(地址和数据驱动芯片),简要说明PD驱动电路的主要原理及驱动芯片的应用,重点介绍高耐压部分的工作原理及结构。

基于GRNN的糖尿病足足底压力信号检测系统设计

信号采集系统在实际应用中,会受到传感器本身及外界温湿度等内外因素的影响,导致系统采集到的数据存在较大误差。该文基于STM32单片机对传统压力采集电路结构进行了改进设计,并采用了广义回归神经网络(GRNN)拟合算法,研制出一套针对多传感采集(1 024个)及采样频率为100 Hz的足底信号检测系统。文中对传感阵列施压测得电导,基于最小二乘法和GRNN两种算法在Matlab中对压-导值进行拟合对比,结果显示,应用了GRNN力-导映射关系的足压检测系统的相对误差为2.89%,相较于最小二乘法,降低了9.11%。由此可得,采用GRNN拟合关系的压力信号检测系统生成的压力云图,可以更好地反应检测者的足底压力分布,能够为糖尿病足病况分析提供可靠的测试平台和高精度的环境。

PDP数据驱动模块STV7610A及其应用

介绍了专用于平板显示的数据电极驱动芯片STV7610A的结构特点、引脚功能和工作原理 ,给出了STV7610A在PDP显示系统中的应用方法。由于STV7610A能为PDP数据电极提供高压 ,因而具有较好的图像显示效果。

锂离子电池管理芯片部分功能电路的设计

本文介绍了锂电池保护电路设计的一般原理,并给出了设计实例,重点描叙了本芯片设计中部分功能电路的实现方法。

PDP扫描驱动电路中高压功率MOSFET的设计

提出了一种适合于PDP 扫描驱动电路的高压功率 LDPMOS 和 VDNMOS 功率器件结构,此结构可用 BCD 工艺实现,其耐压高、高低压兼容性好、易集成。MEDICI模拟结果表明击穿电压可达 200V。

PDP维持电极驱动电路的设计与实现

介绍了彩色等离子体显示屏的维持（Ｘ）电极的工作原理和实现方法。利用ＭＡＸ＋ＰＬＵＳ２软件，使用ＶＨＤＬ语言产生ＰＤＰ（等离子体显示器）所需要的各种测试信号，并将信号下载到硬件电路上，使得输出波形与实测的ＰＤＰ电极上的波形一致。