微波加热常压挥发富集低品位褐煤锗精矿中锗的工艺研究

提出了微波加热常压挥发富集褐煤锗精矿中锗的方法,试验考察了挥发温度、挥发时间、料层厚度、精矿粒度对锗挥发率的影响,得出低品位褐煤锗精矿挥发富集锗的最佳工艺条件：挥发温度1 200℃、挥发时间150 min、料层厚度10 mm、精矿粒度-200目超过97.36%,在此条件下锗的挥发率为62.78%~74.50%,挥发产物锗含量在8.02%~28.46%,富集比达到17.0~21.7倍。

高纯四氯化锗测试样品的采集和制备方法研究

针对光纤级高纯四氯化锗(99.999999%)中痕量含氢杂质吸收峰红外透过率检测(FTIR)用试样的采集,以及痕量金属杂质的电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定用试样的制备方法进行了系统研究。设计开发了用于检测痕量含氢杂质吸收峰红外透过率的样品采集实验装置,实现了含氢杂质(如—OH、—CH、HCl等)吸收峰的红外透过率在线连续测试,试样采集过程全密闭进行,避免了采样过程的二次污染,采样过程流程简短,操作简便;实验优选了在制备ICP-MS法测定痕量金属杂质用的试样过程中消除四氯化锗基体干扰、防止砷等易挥发杂质损失以及防止样品处理过程污染试样的制样方法,实现了试样制备过程二次污染源的有效控制,制样过程试剂消耗量少,制备时间短,待测元素无损失。