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注S-SI GaAs晶体中的缺陷
1
作者 王绍渤 吴瑞娣 夏冠群 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期387-389,共3页
对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_(As))密度,部份Si_(As)与砷空位(V_(As))相互作用形成V_(As)-S... 对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_(As))密度,部份Si_(As)与砷空位(V_(As))相互作用形成V_(As)-Si_(As)络合物而产生的. 展开更多
关键词 光致发光 砷化镓 缺陷 晶体
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lnP单晶中残留杂质的光致发光测定
2
作者 王绍渤 吴瑞娣 《上海半导体》 1989年第4期12-14,共3页
关键词 单晶 杂质 光致发光 测定
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注S—SI GaAs晶体中的缺陷
3
作者 王绍渤 吴瑞娣 《科技通讯（上海船厂）》 1989年第2期8-9,共2页
关键词 S-SIGaAs晶体 光致发光 缺陷
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