GaAs的B^+注入隔离

本文报告了在注Si^+的GaAs有源层上进行B^+注入实现隔离的实验研究.结果表明,低剂量和高剂量的B^+注入都能形成高阻区,但低剂量注入形成的高阻区具有更好的隔离特性.本文还讨论了B^+注入n型GaAs消除载流子的补偿机理.

自对准钨栅GaAs MESFET IC工艺

为了制备耐高温肖特基势垒,已采用RF或DC磁控溅射法在n^+n型GaAs衬底上溅射淀积钨(W)膜。这种膜具有良好的力学及电学性质。膜的可蚀性及肖特基势垒的热稳定性能够满足自对准栅IC的要求。新颖的自对准结构及用W栅制成的自对准离子注入GaAs MESFET初步特性能说明W栅工艺适用于GaAs IC。