常压CVD法制备Si-N-O薄膜及其电性能

本文利用常压ＣＶＤ设备在较低温度（＜７００℃）下制备得到了Ｓｉ－Ｎ－Ｏ薄膜，探讨了反应温度、反应时间、ＮＨ３中杂质水汽对薄膜生成的影响。