氯碱生产中控制仪表异常情况分析及处理措施

随着氯碱工业生产自动化程度的不断提升,控制仪表在生产中的作用愈来愈突出,本文针对离子膜烧碱装置在运行过程中控制仪表出现异常情况的原因进行分析,提出科学有效的处理措施,确保离子膜烧碱装置长期稳定运行,实现企业最佳经营效益。

金属离子对电解直流电耗的影响及优化措施

分析了盐水中的金属离子对电解槽直流电耗的影响,并提出了解决方案,以避免钙、镁金属离子对直流电耗的影响,确保电解槽的稳定运行。

化工生产中设备全生命周期精细化管理

通过引入先进的设备管理理念及监测技术,利用互联网搭建一套设备管理信息化平台,对化工生产中的核心设备及备件进行全生命周期精细化管理;利用大量的设备运行及故障数据进行对比、分析,准确判断出设备劣化的趋势曲线、精准定位设备故障部位、分析故障原因,做好大型机械设备的预防性维护与维修,将设备事故消灭于萌芽状态,确保化工生产系统的安全、稳定、高效运行。

开关柜在线测温系统在氯碱生产中的应用

离子膜法烧碱装置中供电系统开关柜在长期高温运行中,电线接头材料老化、锈蚀、松动等原因易造成接触不良、温度升高、接触电阻增大,导致性能下降。针对以上问题,引进了开关柜在线测温监控系统,确保电力系统的安全、稳定运行。

环氧氯丙烷生产现状及发展方向

分析了目前我国环氧氯丙烷市场现状及生产技术,展望了环氧氯丙烷的市场前景,提出了环氧氯丙烷工艺的发展建议。

SrTiO_3基半导体氧敏材料的研究

研究在不同工艺条件和工作条件下Ａｌ掺杂ＳｒＴｉＯ＿３的氧敏性能。结果表明，Ａｌ掺杂ＳｒＴｉＯ＿３氧敏材料的电阻率与氧分压成指数关系，即，并且还对其氧敏机理作了探讨，提出了新的氧敏模型。根据受主杂质电离化程度理论和ＳＴＥＭ分析结果，认为Ａｌ掺杂ＳｒＴｉＯ＿３氧敏材料是体控型气敏材料，其灵敏度主要取决于电离化受主杂质浓度。不同工艺条件和工作条件会改变电离化受主杂质浓度。

BST/MgO系铁电移相材料微波电性能的研究

采用正交设计实验方法分析了SnO2、MnCO3、B i2O3和A l2O3添加量对BST/MgO系铁电移相材料微波电性能影响。实验结果表明:SnO2的引入促进样品烧结,有助于降低低频和微波损耗,但过多的加入会产生第二相,会使微波损耗上升。Mn受主取代Ti产生空穴等缺陷,不利于微波损耗的降低,而等价取代类似SnO2的情况,有助于降低微波损耗,但过多的加入会产生第二相,也会使微波损耗上升。B i2O3对材料微波电性能有显著的影响,从离子半径匹配角度,B i2O3一般出现在晶粒间,形成玻璃相,一方面促进烧结,使致密化提高,低频损耗变小;另一方面低熔点的玻璃相引起微波损耗急剧上升。A l2O3对材料电性能影响不显著。

液氯生产的安全措施

分析了氯气液化,液氯储存、充装过程中存在的主要危险因素,针对泄漏、爆炸等重点危险因素提出了加强工程施工过程监控、配备相应的安全设施、加强重大危险源安全监控、建立规范化的隐患排查治理制度和提高员工的事故应急能力等安全防范对策。

添加剂对SrTiO_3基复合功能陶瓷材料性能的影晌

研究了 Y 20 3、 MnCO 3、 H 3BO 3和 CaCO 3添加剂对 SrTiO 3基复合功能陶瓷材料性能的影响。结果表明，施主 Y3＋的掺杂可促进 SrTiO 3材料的半导化，，通过显微结构观察，当 Y含量为 1.2％摩尔分数时晶粒最大且较匀致，故 Y 20 3掺杂最佳为 1． 2％摩尔分数。受主 Mn2＋倾向于晶界处偏析，有助于形成材料的晶界势垒，提高材料的压敏非线性系数，降低漏电流 IL， MnCO 3掺杂以 0.12％摩尔分数最佳。由于 H 3BO 3具有降低烧结温度，拓宽烧成温度范围，在较低温度时产生液相，使晶粒生长充分、匀致，但产生液相过量又会制约晶粒生长。 H 3BO 3掺杂以 1％摩尔分数为宜。少量的 CaCO 3有助熔作用，而 CaCO 3本身又具有晶粒细化作用，过量的 CaCO 3还使晶粒粗大，通过显微结构观察得到证实， CaCO 3掺杂以 0.05％摩尔分数为宜。

氯碱生产副产氢气的综合利用

根据实际情况采用使用立式氢气锅炉、氢气充装等途径,全面回收、综合利用原来排空的氢气。采用氢气锅炉,5个月即可收回投资。采用氢气充装站,年可增加效益1 080万元。

微波介质材料的进展

主要介绍了微波介质材料的研究、开发和现状；比较详细地叙述了各种新型微波介质材料的特点；指出了微波介质材料的发展趋势。

氧化物半导体氧敏材料的发展

本文较全面地叙述了氧化物导体氧敏的种类、特点、应用及其发展。

高纯羟基磷灰石（HAP）粉末的制备

研究了以硝酸钙和磷酸二氢铵为原料制备高纯羟基磷灰石粉末的方法。研究结果表明，Ｃａ／Ｐ比略大于等于１．６７时，要以得到纯度较高的羟基磷灰石粉末；Ｃａ／Ｐ比小于１．６７时易出现化合物ＣａＨＰＯ４，使羟基磷灰石粉末的纯度降低。溶液中生成的羟基磷灰石陈化时间不宜太长。羟基磷灰石粉末受酸的作用易溶解，从而导致羟基磷灰石粉末的纯度降低。当煅烧温度超过７８９℃时，羟基磷灰石粉末将发生分解。

聚氯乙烯行业生产现状及发展方向

分析了国内聚氯乙烯行业生产现状、技术现状和存在问题。鉴于国家对安全和环境保护的监管日益严格,以及新冠肺炎疫情和全球经济衰退的影响,国内PVC行业受到前所未有的冲击,生产压力逐渐加大。为此提出了新的发展方向和建议。

BSTO/MgO铁电移相材料的研究

采用固相反应法制备了钛酸锶钡/氧化镁(BSTO/MgO)铁电移相材料。研究了材料的相组成、显微结构和介电性能。经测试分析表明:MgO 与 BSTO 复合后,并没有出现二次相,且晶粒形状分布均一,粒度均匀;w(MgO)为 50%时,材料的低频(10 kHz)εr为 157,tgδ 为 0.000 6,高频(约 2.5 GHz)εr为 120,tgδ 为 0.008;4 000 V/mm偏压下的调谐性为 17.5%,基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求。

稀土掺杂的BSTO/MgO铁电移相材料

为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10kHz)与高频(2.5GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求10kHz下,tgδ=4×10–4,T=14.6%;2.41GHz下,tgδ=6.7×10–3。

电子陶瓷材料发展现状、展望与思考

综述了电子陶瓷的现状及发展趋势。重点介绍了基板材料、电阻基体材料、电容器陶瓷介质材料、压电陶瓷材料、微波陶瓷介质材料、热敏陶瓷材料,并对未来发展进行了展望与思考。

籽晶法制备低电压压敏电阻器

对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３和ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系分别进行了掺杂籽晶的试验研究，研究了籽晶加入对两系统各性能的影响规律，制备了性能优良、压敏电压低（１０Ｖ／ｍｍ）的压敏陶瓷）。

稀土氧化物掺杂对钛酸锶钡／氧化镁铁电移相材料的影响

利用传统陶瓷制备方法——固相合成法制备了钛酸锶钡／氧化镁（BSTO／Mg0）铁电移相材料。研究了0．5％稀土氧化物的掺杂对BSTO／MgO复相材料各种介电性能的影响，包括低频与高频下的介电常数、介电损耗及其调谐性，并且对其影响机制做了初步探讨。Y2O3和Er2O3掺杂样品的介电常数从160降低到120，La2O3和Er2O。掺杂样品的高频损耗从8．2×10^13降低到6．8×10^-3。只有La2O3的掺杂提高了BSTO／MgO系统的调谐性，由13．6％升高到14．8％。La2O3掺杂的BSTO／MgO系统，外加直流电压4000V·nm^-1下的调谐性大于14％，2．47GHz下的介电损耗为6．77×10～^-3能够基本满足移相器在微波频率下工作的要求。

稀土掺杂的Ba1-xSrxTiO3/MgO材料性能的影响

主要研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物掺杂的BSTO/MgO铁电移相器材料的调谐性T、低频(10kHz)与高频(2GHz左右)相对介电常数εr和介质损耗tgδ等性能,并对影响机理作了初步探讨.实验结果表明,0.5mol%La2O3掺加的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求:10kHz下,tgδ=4×10-4,T=14.6%;2.41GHz下,tgδ=6.7×10-3.