通用二阶曲率补偿带隙基准电压源

详细分析了基本低压带隙基准电压源电路实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在-50℃～+120℃温度范围内,通过选择合适的电阻比例及MOSFET的沟道调制效应系数λ,获得了任意输出电压值的二阶曲率补偿基准电压源,且具有较低的温度系数。

一种基于跨导电流比-反型系数-过驱动电压的设计方法

提出了一种基于MOSFET反型系数(Inversion Coefficient)且适合于MOSFET工作在任何反型区的模拟集成电路的设计方法。对于一定工艺的深亚微米模拟集成电路,结合查表法进行的手工估算值与仿真值的误差可控制在±10%左右。该方法尤其适用于低压、低功耗设计。

一种两级CMOS运算放大器电源抑制比提高技术(英文)

在解释了传统基本两级CMOS运算放大器低电源抑制比(PSRR)原因的基础上,提出了一种简单电路技术来提高传统基本两级CMOS运算放大器中频PSRR。该方法原理是通过改变偏置结构产生一个额外的信号支路在输出端跟随电源增益,这样在输出端可以得到近似为零的电源纹波增益,从而能提高运放的PSRR。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下仿真结果显示,改进的运算放大器的PSRR在中频范围内比传统运算放大器可提高20dB以上。

一种抗干扰能力极强的计算机通信接口电路

设计了一种结构简单,抗干扰能力极强的计算机通信接口电路。该电路利用模拟开关实现了全数字二态电平(1,0)与三态电平(1,0,-1)之间的相互转换;利用模拟开关导通电阻的动态效应以及MOS晶体管开启电压VT的衬偏效应,提高了接收电路的抗干扰能力,提出了一种与共模干扰无关的模拟数字混合接收电路。

一种高电源抑制比CMOS运算放大器

解释了基本两级CMOS运算放大器电源抑制比(PSRR)低的原因;提出了只通过改变偏置结构来提高CMOS运算放大器PSRR的方法。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,结果显示:通过改变偏置结构,运算放大器的PSRR在一个很宽的频率范围内比传统运算放大器可提高20dB以上。

一种高性能共模反馈CMOS运算放大器

介绍了一种具有高增益,高电源抑制比(CMRR)和大带宽的两级共源共栅运算放大器。此电路在两级共源共栅运算放大器的基础上增加共模反馈电路,以提高共模抑制比和增加电路的稳定性。电路采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真。结果显示,该放大器增益可达到101 dB,负载电容为10 pF时,单位增益带宽大约为163 MHz,共模抑制比可达101dB,电路功耗仅为0.5 mW。

NBT基陶瓷中相变致电子发射的研究(英文)

在无铅铁电阴极钛酸铋钠(NBT)中获得了20 A/cm2的电流发射密度。在施加激励电压过程中,观察到了和其他阴极材料不同的3个发射电流峰。通过考虑相变因数对电流发射的影响,修正了基于极化反转致电子发射模型的电流发射公式,由此定量解释了在NBT基陶瓷中观察到的不同电流发射现象,揭示了电流发射不仅仅由已有文献中提出的快极化反转产生,也可以由极化的变化(比如相变)产生。为进一步验证该结论和弄清不同种类铁电阴极电子发射的机理,进行了NBT与锆钛酸铅(PZT)的电子发射比较实验。在电子发射前后观察到NBT的压电常数和介电常数没有变化,而在PZT中有变化,由此得出PZT的电子发射机制主要基于极化反转,而NBT的电子发射机制主要基于相变。相变致电子发射机理的提出和实验验证,为新型抗疲劳铁电阴极的研制指明了一个切实可行的方向。

一种二阶补偿的CMOS带隙基准电压源(英文)

提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源,并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,在-50°～+120℃温度范围内,一阶曲率补偿的温度系数为9.5ppm/℃,而运用二阶曲率补偿后该基准电压源具有2.7ppm/℃的低温度系数。

单密勒电容补偿多级放大器的设计(英文)

提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术。理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小。特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运放稳定性的影响,因此该补偿技术很容易拓展到N(N>3)级联放大结构,这一特性有利于运放在实际中的运用。

铁电阴极低真空电子发射性能的分析

采用锆钛酸铅(PZT)铁电阴极,在高真空4×10-3Pa和低真空1.4Pa条件下分别进行了电子发射实验。对收集电流波形进行积分,计算出收集电荷,低真空与高真空的电荷比值为0.1933,说明低真空条件下发射出的电子损失较大。运用分子运动理论和等离子体放电理论对发射电子损失的原因进行了分析。通过分子运动理论计算了分子碰撞对到达收集极的电子数目的影响,得到的低真空与高真空的电子到达几率分别为89.58%和99.97%,二者的比值为0.8961。该数值与通过实验收集电流波形计算出的到达电子比值相差很大。考虑低真空下等离子体的作用,发射电子除了与气体分子碰撞有部分损失外,还有通过等离子体和栅电极形成的对地放电损失。由等离子体放电理论计算出等离子体覆盖栅电极时间为23.8ns,与低真空的收集电流振荡周期20ns非常接近,是低真空下等离子体放电损失的有力证明。

空调器风扇驱动用电动机的噪声降低方法

空调器风扇驱动用电动机的噪声降低方法吴贵能（重庆微电机厂）噪声的大小是评判空调器质量的一个重要指标，由于电动机的噪声直接影响到空调器的整机噪声，因此空调器生产厂家要求电动机的噪声不得大于４２ｄＢ（Ａ计权）。这对于一般的电机生产厂家的确有相当难度。本文...

24槽6极单相异步电动机的实验研究

对文献少有介纠的24槽6极单相异步电动机在绕组形式,定、转子槽配合,转子斜槽大小,电机噪音等方而进行了详细的分析实验,其结果对生产实践有重要指导意义.

单相电机优化设计中的一个特殊问题

众所周知,单相分马力异步电动机额定工作时气隙旋转磁场几乎总是有椭圆的.该椭圆形旋转磁场使得定子不同齿的齿磁密各不一样,其大小按π电角度周期性变化,轭磁密亦然.当冲片尺寸、绕组参数一定时,最大齿磁密和最大轭磁密所在位置在冲片上也是一定的,这使得我们在电机优化设计时可根据实际需要采取相应措施来避免部分齿、轭磁密的过饱和,从而改善电机性能,降低电机噪声.