开管汽相外延法生长碲镉汞晶膜

报道用开管汽相外延法生长长波碲镉汞晶膜的结果。实验表明,用这种方法容易得到适合红外焦平面列阵器件制备用的大面积均匀优质碲镉汞晶膜。

拉曼-光荧光光谱热壁外延生长GaAs/Si薄膜晶体质量研究

本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼 (Raman)和光荧光 (PL)光谱。研究表明 :在室温下 ,GaAs晶膜的拉曼光谱的 2 6 5cm-1横声子 (TO)峰和 2 90cm-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、FWHM变窄且峰值频移变小 ,而PL光谱出现在 90 0nm光谱的FWHM较窄 ,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜。在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好 ,但测不出PL光谱 ,所生的膜不是单晶。同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度。因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量。

Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料

报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。先通过活化剂活化Si表面 ,再采取两步生长法外延GaAs单晶薄膜 ,最后进行断续多层循环退火 (IMCA)。经电子探针 (EPMA)、Raman光谱、Hall测量和荧光 (PL)光谱测试分析 ,证实在Si表面获得了近 4 μm厚的GaAs单晶薄膜。

热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征

该文介绍以Si和SnO2 / glass两种材料为衬底 ,采用热壁外延方法 ,制得GaAs多晶薄膜。采用电子探针 (EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌 ,x射线衍射 (XRD)分析薄膜的结构情况。结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构 ,初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料。

两步生长和直接生长GaAs/Si单晶薄膜的比较

报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在 (10 0 ) ,(111)和 (2 11)三种典型Si表面通过两步生长和直接生长法制备GaAs单晶薄膜 ,经过拉曼光谱、霍尔测试和荧光光谱分析比较 ,得出结论 :(1)相同取向Si衬底 ,两步生长法制备的GaAs薄膜结晶质量比直接生长法制备的GaAs薄膜的要好 ;(2 )采用HWE技术在Si上异质外延GaAs薄膜 ,其表面缓冲层的生长是降低位错、提高外延质量的基础 ;(3)不同取向Si衬底对GaAs外延层结晶质量有影响 ,(2 11)面外延的GaAs薄膜质量最好 ,(10 0 )面次之 ,(111)

HWE生长大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜的结构和形貌分析

用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试 ,结果发现 :Si衬底表面结构粗糙 ,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致 ,CdTe薄膜较CdZnTe缓冲层表面结构光滑细密 ,即缺陷较CdZnTe缓冲层少很多。通过对该片子照像看出其表面如镜面。

Si表面制备GaAs单晶薄膜的反相畴消除

极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长 ,普遍选用 (10 0 )面Si材料作衬底 ,外延时由于Ga ,As原子占据不合适的晶格位置 ,通常导致结构缺陷———反相畴产生 ,而选用(10 0 )面偏向 [0 11]方向 4°或 (2 11)面的Si作衬底 。

宁东鸳鸯湖矿区矿井废水处理工艺设计与利用

红柳矿井下水处理站工艺分预处理与深度处理两大部分,预处理部分包括混凝、沉淀、除油及过滤,深度处理部分包括机械过滤、活性炭过滤、精密过滤、反渗透及消毒。预处理部分处理对象为红柳矿井井下排水,深度处理部分处理对象为经过预处理的红柳矿井、麦垛山矿井井下排水,其中麦垛山矿井井下排水经过麦垛山矿井井下水处理站预处理,水质达到深度处理进水要求(pH:6～9、色度:≤30度、浊度:≤3NTU、悬浮物粒径:<0.3mm、CODcr:≤30mg/L、氨氮:≤10mg/L、石油类:≤1mg/L)后,加压供至本处理站进行深度处理。

Hg_(1-x)Cd_xSe红外薄膜材料研究进展

硒镉汞(Hg_(1-x)Cd_xSe)作为碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)的红外替代材料受到广泛关注,它具有位错密度低、热膨胀系数小、晶格失配小等优势,可望获得高质量、大面积、廉价长波红外(Long-wavelength infrared,LWIR)焦平面阵列(Focal plane arrays,FPAs)。综述了Hg_(1-x)Cd_xSe材料的最新研究进展,讨论了Hg_(1-x)Cd_xSe薄膜材料在不同衬底和不同生长条件下对薄膜质量的影响及最新研究结果;同时,对Hg_(1-x)Cd_xSe材料的研究进行了展望。

热循环退火对InAs/Si(211)薄膜结构和电学性能的影响

InAs作为III-V族化合物半导体材料,可以应用于磁阻和霍尔元器件、量子点激光器元件、太阳能电池和红外探测器元件等方面,具有广泛的研究和应用前景.本文以Si(211)为衬底,采用热壁外延(hot wall epitaxy,HWE)技术制备了InAs薄膜,研究热循环退火(thermal cycle annealing,TCA)次数对InAs/Si(211)薄膜结构及电学性能的影响.热壁外延制备InAs薄膜的衬底温度为400℃,生长时间为4 h,不同的热循环退火次数为2、4、6、8、10.X射线衍射(XRD)测试表明:利用HWE技术在Si(211)衬底表面成功制备了闪锌矿结构的InAs薄膜,且沿(111)取向择优生长;TCA能够明显增强Si(211)衬底表面生长的InAs薄膜的择优取向.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)测试分析表明:随着TCA次数增加到6次,InAs/Si(211)薄膜表面由于晶粒细化作用变得均匀平整,表面粗糙度从69.63 nm降低到56.43 nm,此时霍尔迁移率达到2.67×10~3cm^2/(V·s);过多的退火次数(≥8次)又会使薄膜表面的晶粒过大、缺陷增多,导致薄膜性能下降.

热壁外延制备InAs/Si(211)薄膜及其电学性能研究

采用热壁外延(Hot Wall Epitaxy,HWE)沉积系统在单晶Si(211)衬底表面制备了In As薄膜,研究了不同生长温度(300℃、350℃、400℃、450℃和500℃)对薄膜材料结构及其电学性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、霍尔(Hall)测试等,对In As/Si(211)薄膜的晶体结构、表面形貌及电学参数进行了测试分析。结果表明:采用HWE技术在Si(211)衬底表面成功制备了In As薄膜,薄膜具有闪锌矿结构并沿(111)方向择优生长。随着生长温度从300℃升高到500℃,全峰半高宽(FWHM)先减小后增大,生长温度为400℃时薄膜的晶粒尺寸最大为73.4 nm,载流子浓度达到1022cm-3,霍尔迁移率数值约为102cm2/(V·s),说明优化生长温度能够降低In As薄膜的缺陷复合,使薄膜结晶质量和电学性能得到提高。SEM及AFM的测试结果显示由于较高的晶格失配及Si衬底斜切面(211)的特殊取向,在Si(211)衬底上生长的In As薄膜主要为三维层加岛状(S-K)生长模式,表面粗糙度(Ra)随温度的升高先减小后增大,400℃时薄膜的平均表面粗糙度Ra为48.37 nm。

生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响

该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.

在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜

该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900～930℃,衬底温度为500℃.

热壁外延生长GaAs/Si薄膜质量研究

本文研究了用热壁外延 (HWE)技术在 Si衬底上不同工艺下生长的 Ga As薄膜的拉曼 (Raman)和荧光 (PL )光谱。研究表明 :在室温下 ,Ga As晶膜的 Raman光谱的 2 6 5 cm- 1 横声子 (TO)峰和 2 89cm- 1 纵声子 (L O)峰的峰值之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、半高宽 (FWH M)变窄且峰值频移移动变小 ,而PL光谱出现在 871nm光谱的 FWH M较窄 ,表明所测得的薄膜为单晶晶膜。对同一晶膜也可判断出均匀程度。因此可以通过拉曼光谱和 PL光谱相结合评定外延膜晶体质量。