深亚微米工艺中MOS器件的版图效应

本文主要描述一下两钟对M O S管特性有影响的边界效应。同时,本文也将描述目前通用的对这两种效应的估算方式和在器件模型中的表现形式。WPE效应第一种影响MOS器件的效应被称为WPE,well proximity effect,也可以翻译为＂井边界效应＂。WPE效应的影响是,当一个MOS管靠近他所在的井边沿的时候,其阈值电压会升高,从而导致其传输特性和其他普通的MOS不同。

Verilog-A/AMS在RF仿真中的应用

Verilog-A/AMS是用于描述电路行为的硬件描述语言。Verilog-A用于描述模拟电路的工作行为。Verilog-AMS则用于描述混合信号电路。Verilog-A/AMS可以直接使用简单的数学公式对电路或器件进行描述,因此可以获得仿真速度和精度的良好平衡。下文将探讨一下在RF设计中使用硬件描述语言Verilog-A/AMS的优缺点以及一些实际问题。