微量杂质在工业纯钛中的存在形式及其对力学性能的影响

采用差示扫描量热法(DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜及其附带的能谱仪(SEM+EDS)、电子探针(EPMA)等分析方法和力学性能测试,研究常温下铁、硅、氯、氮、氧、碳(Fe,Si,Cl,M,O,C)等杂质在工业纯钛中的存在形式、分布状况及其对力学性能的影响。结果表明:在工业纯钛中,铁、硅、氯杂质元素的微区元素浓度较低,只有极少区域存在偏聚;碳元素分布不均匀,微区偏聚现象明显;氧元素在工业纯钛中含量较少且分布均匀;随铁、氮、氧、碳、氯等杂质含量增加,工业纯钛的强度和硬度大幅提高,塑韧性显著降低,最大硬度HB增幅为24,屈服强度和抗拉强度的最大增加幅度分别为144 MPa和122 MPa,伸长率的减幅最大为19.8%。

化学共沉淀法ITO纳米粉末的制备与表征

采用化学共沉淀法来制备ITO纳米粉末，探讨了反应终点pH值（分别为7，8及9）和煅烧温度（分别为350℃，650℃，750cc及850℃）对ITO粉体性能的影响，借助TG—DSC、XRD、SEM、HRTEM、FT-IR等分析手段对粉体进行了表征。得到如下结论：在液相中加入硅酸钠，反应温度为60℃，反应终点pH值为8，老化制度为60min，煅烧制度为750℃／2h的工艺条件下，所制得的ITO纳米粉不含SnO2相，呈显著的单相结构，是一种立方结构的In2O3固溶体；粉体粒径在30—60nm之间，比表面积为34．26m^3／g，形貌为近球形，颗粒均匀，且分散性能良好，在波数840—3164cm。范围内对红外光的反射率高达66％～94％。

ZnSe/CdSe核壳微球的制备与表征（英文）

在水热条件下,以水热法合成的Zn Se微米球为牺牲模板,成功制备出球形ZnSe/CdSe核壳结构纳米复合材料。讨论反应物ZnSe和Cd(NO3)2的不同摩尔比对最终产物形貌和结构的影响,并借助XRD,SEM,TEM和PL对Zn Se/Cd Se核壳结构纳米复合材料的性能进行表征。结果表明:当n(ZnSe):n(Cd(NO3)2大于1:1时可以制备出核壳结构,n(ZnSe):n(Cd(NO3)2)等于1时为实心球结构。PL光谱表明:Zn Se/Cd Se核壳结构纳米复合材料具有高的PL发射强度,且当n(ZnSe):n(Cd(NO3)2为1:0.5时发光性能最好。

基于几何相位分析的Nb-Si{001}界面应变研究

用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间存在铌、硅元素的混合层;当溅射气压为0.65 Pa,0.85 Pa和1 Pa时,硅基体中应变ε_(xx)分别是–0.16%,–0.30%和0.42%,ε_(yy)分别是–1.23%,–0.31%和0.26%,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。

基于几何相位分析的Nb/Si{111}界面应变研究

本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现了大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间产生铌、硅元素的混合层;随着溅射气压的增大,硅基体中应变的大小和方向均不相同,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。